| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 NiO材料的基本特性 | 第14-18页 |
| 1.2.1 NiO的晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 NiO的电学特性 | 第15-17页 |
| 1.2.3 NiO的光学特性 | 第17-18页 |
| 1.3 NiO材料的研究与应用 | 第18-26页 |
| 1.4 论文的选题依据与研究内容 | 第26-29页 |
| 第二章 NiO基薄膜的制备以及样品的表征方法 | 第29-42页 |
| 2.1 NiO基薄膜的制备方法 | 第29-32页 |
| 2.1.1 磁控溅射的基本原理介绍 | 第29-32页 |
| 2.2 NiO基薄膜及器件特性的表征方法 | 第32-42页 |
| 2.2.1 原子力显微镜（AFM） | 第32-35页 |
| 2.2.2 X射线衍射（XRD） | 第35-36页 |
| 2.2.3 霍尔测试（Hall） | 第36-38页 |
| 2.2.4 紫外-可见分光光度计（UV-3600） | 第38-39页 |
| 2.2.5 半导体特性测试（Agilent B2900A） | 第39-40页 |
| 2.2.6 电致发光特性测试（EL） | 第40-42页 |
| 第三章 NiO:Li薄膜的制备及其特性研究 | 第42-69页 |
| 3.1 衬底温度对NiO:Li薄膜特性的影响 | 第42-49页 |
| 3.1.1 衬底温度对NiO:Li薄膜形貌的影响 | 第43-46页 |
| 3.1.2 衬底温度对NiO:Li薄膜晶体结构的影响 | 第46页 |
| 3.1.3 衬底温度对NiO:Li薄膜电学特性的影响 | 第46-48页 |
| 3.1.4 衬底温度对NiO:Li薄膜光学特性的影响 | 第48-49页 |
| 3.2 溅射功率对NiO:Li薄膜特性的影响 | 第49-55页 |
| 3.2.1 溅射功率对NiO:Li薄膜形貌的影响 | 第50-51页 |
| 3.2.2 溅射功率对NiO:Li薄膜晶体结构的影响 | 第51-52页 |
| 3.2.3 溅射功率对NiO:Li薄膜电学性质的影响 | 第52-54页 |
| 3.2.4 溅射功率对NiO:Li薄膜光学性质的影响 | 第54-55页 |
| 3.3 氧气流量比对NiO:Li薄膜特性的影响 | 第55-61页 |
| 3.3.1 氧气流量比对NiO:Li薄膜形貌的影响 | 第55-57页 |
| 3.3.2 氧气流量比对NiO:Li薄膜晶体结构的影响 | 第57-58页 |
| 3.3.3 氧气流量比对NiO:Li薄膜电学性质的影响 | 第58-60页 |
| 3.3.4 氧气流量比对NiO:Li薄膜光学性质的影响 | 第60-61页 |
| 3.4 退火条件对NiO:Li薄膜特性的影响 | 第61-68页 |
| 3.4.1 NiO:Li薄膜退火条件的选择 | 第61页 |
| 3.4.2 退火温度对NiO:Li薄膜形貌的影响 | 第61-65页 |
| 3.4.3 退火温度对NiO:Li薄膜晶体结构的影响 | 第65-66页 |
| 3.4.4 退火温度对NiO:Li薄膜电学性质的影响 | 第66-67页 |
| 3.4.5 退火温度对NiO:Li薄膜光学性质的影响 | 第67-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 NiMg O:Li薄膜的制备及其特性研究 | 第69-82页 |
| 4.1 NiMgO:Li薄膜的制备 | 第69页 |
| 4.2 MgO的溅射厚度对NiMgO:Li薄膜特性的影响 | 第69-76页 |
| 4.2.1 Mg O的溅射厚度对NiMgO:Li薄膜形貌的影响 | 第70-72页 |
| 4.2.2 MgO的溅射厚度对NiMgO:Li薄膜晶体结构的影响 | 第72页 |
| 4.2.3 MgO的溅射厚度对NiMgO:Li薄膜电学特性的影响 | 第72-74页 |
| 4.2.4 MgO的溅射厚度对NiMgO:Li薄膜光学特性的影响 | 第74-76页 |
| 4.3 退火对Ni MgO:Li薄膜特性的影响 | 第76-81页 |
| 4.3.1 退火对NiMgO:Li薄膜形貌的影响 | 第77-79页 |
| 4.3.2 退火对NiMgO:Li薄膜晶体结构的影响 | 第79页 |
| 4.3.3 退火对NiMgO:Li薄膜电学特性的影响 | 第79-80页 |
| 4.3.4 退火对NiMgO:Li薄膜光学特性的影响 | 第80-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 NiO基异质结器件的研究 | 第82-96页 |
| 5.1 ZnO的制备 | 第82-83页 |
| 5.2 p-NiO:Li/n-ZnO异质结器件 | 第83-87页 |
| 5.2.1 p-NiO:Li/n-ZnO异质结器件的制备 | 第83-84页 |
| 5.2.2 p-Ni O:Li/n-Zn O异质结器件光电特性分析 | 第84-87页 |
| 5.3 p- NiMgO:Li/MgO/n-ZnO异质结器件 | 第87-94页 |
| 5.3.1 p-NiMgO:Li/MgO/n-ZnO异质结器件的制备 | 第87-88页 |
| 5.3.2 p-NiMgO:Li/MgO/n-ZnO异质结器件光电特性分析 | 第88-94页 |
| 5.4 本章小结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-113页 |
| 结论 | 第113-117页 |
| 本文的创新点 | 第117-118页 |
| 在学期间取得的科研成果 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
