摘要 | 第4-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第14-49页 |
1.1 引言 | 第14-17页 |
1.1.1 半导体基底上的金属铁磁薄膜 | 第14页 |
1.1.2 GaAs半导体的界面 | 第14-16页 |
1.1.3 GaAs基底生长铁磁单晶薄膜 | 第16-17页 |
1.2 磁各向异性 | 第17-23页 |
1.2.1 磁自由能量 | 第17-19页 |
1.2.2 非晶体系的磁各向异性理论基础 | 第19-23页 |
1.3 磁化动力学基础理论 | 第23-42页 |
1.3.1 磁化强度的运动方程推导 | 第23-26页 |
1.3.2 铁磁共振基础理论 | 第26-32页 |
1.3.3 超快时间分辨的磁光克尔效应基础理论 | 第32-38页 |
1.3.4 XMCD基础理论 | 第38-42页 |
1.4 本论文的选题意义和研究内容 | 第42-44页 |
1.4.1 选题意义 | 第42-43页 |
1.4.2 研究内容 | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-49页 |
第二章 生长设备与磁性表征设备 | 第49-60页 |
2.1 MS600型超高真空多功能溅射设备 | 第49-51页 |
2.2 磁性表征设备 | 第51-58页 |
2.2.1 VVSM | 第51-53页 |
2.2.2 SQUID-VSM | 第53-54页 |
2.2.3 TRMOKE | 第54-56页 |
2.2.4 FMR | 第56-58页 |
2.3 本章小结 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-60页 |
第三章 非晶CoFeB/GaAs薄膜面内单轴磁各向异性的研究 | 第60-93页 |
3.1 研究背景 | 第60页 |
3.2 界面对非晶CoFeB薄膜的单轴磁各向异性的影响 | 第60-74页 |
3.2.1 增强面内单轴磁各向异性非晶薄膜样品的制备 | 第60-62页 |
3.2.2 基底处理工艺对单轴磁各向异性的影响 | 第62-65页 |
3.2.3 不同晶面取向的GaAs基底对CoFeB薄膜UMA的影响 | 第65-70页 |
3.2.4 薄膜的微观结构研究 | 第70-72页 |
3.2.5 界面诱导的非晶CoFeB磁各向异性机制讨论 | 第72-74页 |
3.2.6 结论 | 第74页 |
3.3 厚度依赖的单轴各向异性场及磁化反转机制的讨论 | 第74-82页 |
3.3.1 厚度依赖的单轴各向异性场 | 第74-78页 |
3.3.2 磁化反转机制的讨论 | 第78-81页 |
3.3.3 结论 | 第81-82页 |
3.4 非晶CoFeB/GaAs(001)薄膜的退火处理的研究 | 第82-89页 |
3.4.1 真空退火对非晶CoFeB/GaAs(001)薄膜磁性的影响 | 第82-83页 |
3.4.2 面内单轴磁各向异性的演化 | 第83-89页 |
3.4.3 结论 | 第89页 |
3.5 本章小结 | 第89-91页 |
参考文献 | 第91-93页 |
第四章 非晶CoFeB/GaAs薄膜的Gilbert阻尼因子的研究 | 第93-125页 |
4.1 研究意义 | 第93-94页 |
4.2 磁滞回线测量 | 第94-95页 |
4.3 FMR研究薄膜的磁化动力学 | 第95-103页 |
4.3.1 FMR测量结果 | 第95-96页 |
4.3.2 利用FMR数据拟合朗德因子和本征磁阻尼因子 | 第96-103页 |
4.4 TRMOKE研究薄膜的磁化动力学 | 第103-107页 |
4.4.1 TRMOKE测量结果 | 第103-104页 |
4.4.2 利用TRMOKE数据拟合朗德因子和本征磁阻尼因子 | 第104-107页 |
4.5 XMCD研究薄膜元素分辨的磁矩 | 第107-110页 |
4.5.1 求和法则公式 | 第107页 |
4.5.2 XMCD测量结果 | 第107-110页 |
4.6 结果分析和讨论 | 第110-112页 |
4.6.1 朗德因子差异分析 | 第110-111页 |
4.6.2 本征磁阻尼因子差异分析 | 第111-112页 |
4.7 非晶CoFeB薄膜Gibert阻尼因子的各向异性 | 第112-121页 |
4.7.1 薄膜的制备及静磁表征 | 第112-114页 |
4.7.2 Gilbert阻尼因子的各向异性 | 第114-119页 |
4.7.3 结果与讨论 | 第119-120页 |
4.7.4 结论 | 第120-121页 |
4.8 本章小结 | 第121-122页 |
参考文献 | 第122-125页 |
工作总结和展望 | 第125-127页 |
博士期间发表和待发表的论文 | 第127-129页 |
致谢 | 第129-130页 |