摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第11-35页 |
1.1 半导体光催化及其应用 | 第11-13页 |
1.1.1 半导体光催化原理 | 第11-12页 |
1.1.2 半导体光催化的应用 | 第12-13页 |
1.2 半导体光催化产氢 | 第13-15页 |
1.2.1 半导体光催化产氢原理 | 第13页 |
1.2.2 半导体材料对光催化产氢的影响 | 第13-15页 |
1.2.3 环境因素对光催化产氢的影响 | 第15页 |
1.3 提高光催化剂产氢活性的有效方法 | 第15-20页 |
1.3.1 元素掺杂 | 第16页 |
1.3.2 形貌控制 | 第16-17页 |
1.3.3 染料敏化 | 第17-18页 |
1.3.4 半导体复合 | 第18-19页 |
1.3.5 金属沉积 | 第19-20页 |
1.4 g-C_3N_4及光催化性能研究 | 第20-25页 |
1.4.1 g-C_3N_4的结构 | 第20-21页 |
1.4.2 g-C_3N_4的制备和应用 | 第21-25页 |
1.4.2.1 g-C_3N_4形貌改性 | 第21-23页 |
1.4.2.2 g-C_3N_4的掺杂改性 | 第23-24页 |
1.4.2.3 g-C_3N_4复合半导体材料 | 第24-25页 |
1.5 非贵金属共催化剂研究 | 第25-26页 |
1.6 论文的选题意义及研究内容 | 第26-28页 |
1.6.1 选题意义 | 第26-27页 |
1.6.2 研究内容 | 第27-28页 |
参考文献 | 第28-35页 |
第二章 实验部分 | 第35-39页 |
2.1 化学试剂和仪器 | 第35页 |
2.1.1 化学试剂 | 第35页 |
2.1.2 实验仪器 | 第35页 |
2.2 分析表征手段 | 第35-36页 |
2.3 光催化活性评价 | 第36-38页 |
2.3.1 光催化反应装置 | 第36-37页 |
2.3.2 光催化实验 | 第37-38页 |
2.4 ICP检测NiS/g-C_3N_4中Ni含量 | 第38页 |
2.5 光电化学测试 | 第38-39页 |
第三章 g-C_3N_4纳米片的制备及光催化产氢性能 | 第39-57页 |
3.1 引言 | 第39-40页 |
3.2 催化剂的制备 | 第40-41页 |
3.3 结果与讨论 | 第41-51页 |
3.3.1 样品的表征 | 第41-49页 |
3.3.1.1 XRD物相分析 | 第41-42页 |
3.3.1.2 样品的宏观差别 | 第42页 |
3.3.1.3 透射电镜分析 | 第42-45页 |
3.3.1.4 氮气吸附-脱附等温线 | 第45页 |
3.3.1.5 元素分析 | 第45-46页 |
3.3.1.6 FT-IR分析 | 第46-47页 |
3.3.1.7 UV-Vis分析 | 第47-48页 |
3.3.1.8 Zeta电位表征 | 第48-49页 |
3.3.2 光电化学性能评价 | 第49-50页 |
3.3.3 可见光光催化产氢活性评价 | 第50-51页 |
3.4 外部条件对CNNS-1 光催化活性的影响 | 第51-53页 |
3.4.1 煅烧温度 | 第51-52页 |
3.4.2 煅烧时间 | 第52页 |
3.4.3 牺牲剂浓度 | 第52-53页 |
3.4.4 贵金属沉积量 | 第53页 |
3.5 CNNS-1 样品的催化循环稳定性 | 第53-54页 |
3.6 本章小结 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-57页 |
第四章 NiS/CNNS-1 的制备及光催化产氢性能研究 | 第57-69页 |
4.1 引言 | 第57页 |
4.2 样品的制备 | 第57-58页 |
4.3 结果与讨论 | 第58-65页 |
4.3.1 样品的表征 | 第58-64页 |
4.3.1.1 XRD分析 | 第58-59页 |
4.3.1.2 TEM及EDX分析 | 第59-60页 |
4.3.1.3 UV-Vis分析 | 第60-61页 |
4.3.1.4 PL分析 | 第61-62页 |
4.3.1.5 XPS分析 | 第62-64页 |
4.3.2 光电化学性能评价 | 第64页 |
4.3.3 样品的可见光光催化活性评价 | 第64-65页 |
4.4 g-C_3N_4/1.75wt%NiS的催化循环稳定性 | 第65-66页 |
4.5 光催化机理分析 | 第66-67页 |
4.6 本章小结 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-69页 |
第五章 结论与展望 | 第69-71页 |
5.1 论文主要结论 | 第69-70页 |
5.2 展望 | 第70-71页 |
个人简历 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |