| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 非晶铟鎵氧化锌及其器件 | 第10-11页 |
| 1.3 a-IGZO TFT的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.4 主要研究内容及其意义 | 第14-15页 |
| 1.5 本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章a-IGZO TFT的器件物理基础 | 第16-25页 |
| 2.1 a-IGZO TFT的结构 | 第16-17页 |
| 2.2 a-IGZO TFT的陷阱态 | 第17-19页 |
| 2.3 a-IGZO TFT的电学特性 | 第19-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章a-IGZO TFT表面势的非迭代计算 | 第25-42页 |
| 3.1 a-IGZO TFT表面势的迭代计算 | 第25-27页 |
| 3.2 a-IGZO TFT表面势的解析求解 | 第27-32页 |
| 3.3 仿真验证结果与讨论 | 第32-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于表面势的a-IGZO TFT漏电流模型 | 第42-52页 |
| 4.1 漏电流方程 | 第42-46页 |
| 4.2 仿真验证结果与讨论 | 第46-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 全文总结 | 第52页 |
| 5.2 后期工作的展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60页 |