高应变InGaAs多量子阱材料外延及发光特性
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 半导体激光器发展 | 第8-9页 |
| 1.2 高应变量子阱激光器材料的研究进展 | 第9-10页 |
| 1.3 高应变半导体激光器的应用 | 第10-12页 |
| 1.4 研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 理论部分 | 第13-22页 |
| 2.1 量子阱激光器应变的引入 | 第13页 |
| 2.2 应变对量子阱的能带结构的影响 | 第13-15页 |
| 2.3 应变对材料性能的影响 | 第15-16页 |
| 2.4 高应变量子阱激光器的增益特性 | 第16页 |
| 2.5 高应变量子阱激光器的阈值特性 | 第16-18页 |
| 2.6 高应变量子阱激光器的输出特性 | 第18-22页 |
| 2.6.1 量子阱激光器的输出功率 | 第18-20页 |
| 2.6.2 量子阱激光器的光谱线宽 | 第20页 |
| 2.6.3 量子阱激光器的光斑特性 | 第20-22页 |
| 第三章 高应变InGaAs多量子阱激光器模拟设计 | 第22-42页 |
| 3.1 Crosslight软件介绍 | 第22页 |
| 3.2 LASTIP模拟步骤 | 第22-27页 |
| 3.3 有源层量子阱设计 | 第27-29页 |
| 3.3.1 阱数的确定 | 第27页 |
| 3.3.2 In组分、阱宽和势垒的设计 | 第27-29页 |
| 3.4 双模式扩展层的设计 | 第29-36页 |
| 3.4.1 双模式扩展层理论 | 第30-31页 |
| 3.4.2 双模式扩展结构设计 | 第31-32页 |
| 3.4.3 模式扩展层厚度对激光器的影响 | 第32-34页 |
| 3.4.4 模式扩展层AL组分对激光器的影响 | 第34-36页 |
| 3.5 应变对InGaAs多量子阱激光器的影响 | 第36-38页 |
| 3.6 双模式扩展层激光器的性能 | 第38-42页 |
| 3.6.1 激光器的内量子效率和内损耗 | 第38-40页 |
| 3.6.2 激光器的特征温度 | 第40-42页 |
| 第四章 MOCVD外延技术以及PL谱测试技术 | 第42-53页 |
| 4.1 MOCVD简介 | 第42-43页 |
| 4.2 MOCVD外延原理 | 第43-44页 |
| 4.3 MOCVD设备组成 | 第44-47页 |
| 4.4 PL测试技术 | 第47-48页 |
| 4.5 样品生长及测试 | 第48-53页 |
| 4.5.1Ⅴ/Ⅲ束流比对材料生长质量的影响 | 第48-49页 |
| 4.5.2 生长速率对材料生长质量的影响 | 第49-50页 |
| 4.5.3 衬底偏向角对材料生长质量的影响 | 第50-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第58页 |
