| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 碳化硅材料介绍 | 第9-11页 |
| 1.2 SiC MOSFET器件 | 第11-15页 |
| 1.2.1 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.2 研究意义 | 第14-15页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 SiC MOSFET器件理论基础及材料物理模型 | 第16-30页 |
| 2.1 SiC MOSFET器件基础及基本特性 | 第16-24页 |
| 2.2 仿真物理模型 | 第24-29页 |
| 2.2.1 仿真软件介绍 | 第24-25页 |
| 2.2.2 基本物理模型 | 第25-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 SiC MOSFET器件的结构设计 | 第30-55页 |
| 3.1 SiC MOSFET器件的元胞设计 | 第30-41页 |
| 3.1.1 Pbase掺杂分布 | 第31-34页 |
| 3.1.2 栅氧化层厚度TOX | 第34-36页 |
| 3.1.3 沟道长度Lch | 第36-37页 |
| 3.1.4 JFET区宽度LJFET | 第37-41页 |
| 3.2 SiC MOSFET器件的终端设计 | 第41-50页 |
| 3.2.1 场板终端设计 | 第41-43页 |
| 3.2.2 场限环终端设计 | 第43-50页 |
| 3.3 SiC MOSFET器件的开关特性仿真 | 第50-54页 |
| 3.3.1 基本电路和仿真模型介绍 | 第50-51页 |
| 3.3.2 开启瞬态和关断瞬态 | 第51-52页 |
| 3.3.3 一些参数对开关时间的影响 | 第52-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 SiC MOSFET器件实验和测试分析 | 第55-67页 |
| 4.1 版图设计和工艺流程 | 第55页 |
| 4.2 实验结果和测试分析 | 第55-66页 |
| 4.2.1 静态测试结果 | 第56-59页 |
| 4.2.2 动态测试结果 | 第59-64页 |
| 4.2.3 应力测试 | 第64-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第74-75页 |