基于化学气相沉积法生长石墨烯的光电探测器
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-24页 |
1.1 石墨烯简介 | 第10-12页 |
1.1.1 石墨烯的发现 | 第10页 |
1.1.2 石墨烯的晶体结构 | 第10-11页 |
1.1.3 石墨烯的能带结构 | 第11页 |
1.1.4 石墨烯的性质 | 第11-12页 |
1.2 石墨烯的制备方法 | 第12-13页 |
1.2.1 机械剥离法 | 第12页 |
1.2.2 氧化还原法 | 第12页 |
1.2.3 碳化硅外延法 | 第12-13页 |
1.2.4 化学气相沉积法 | 第13页 |
1.3 石墨烯的表征 | 第13-15页 |
1.3.1 光学显微镜 | 第13-14页 |
1.3.2 拉曼光谱 | 第14页 |
1.3.3 原子力显微镜 | 第14-15页 |
1.4 石墨烯光电探测器的研究现状 | 第15-21页 |
1.4.1 光伏效应 | 第15-17页 |
1.4.2 光热电效应 | 第17-19页 |
1.4.3 热辐射效应 | 第19-21页 |
1.5 论文内容安排及主要工作 | 第21-24页 |
第2章 CVD法生长的石墨烯与转移 | 第24-32页 |
2.1 CVD法生长的石墨烯原理 | 第24-27页 |
2.1.1 在镍(Ni)表面生长石墨烯 | 第24-25页 |
2.1.2 在铜(Cu)表面生长石墨烯 | 第25-26页 |
2.1.3 两种生长机制的比较 | 第26-27页 |
2.2 石墨烯的转移 | 第27-30页 |
2.2.1 腐蚀基底法转移 | 第27-29页 |
2.2.2 鼓泡法转移 | 第29-30页 |
2.3 本章小结 | 第30-32页 |
第3章 石墨烯光电探测器的工艺研究 | 第32-42页 |
3.1 主要工艺的介绍 | 第32-36页 |
3.2 器件尺寸的设计 | 第36-37页 |
3.3 器件的工艺流程 | 第37-39页 |
3.4 器件制作过程中的注意事项 | 第39-40页 |
3.5 本章小结 | 第40-42页 |
第4章 石墨烯光电探测器的测试与分析 | 第42-52页 |
4.1 石墨烯的场效应测试 | 第42-44页 |
4.2 石墨烯光电探测器的测试 | 第44-46页 |
4.3 分析与讨论 | 第46-50页 |
4.4 本章小结 | 第50-52页 |
结论 | 第52-54页 |
参考文献 | 第54-58页 |
攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第58-60页 |
致谢 | 第60页 |