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InAs/GaSb超晶格微结构与光电特性研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第12-34页
    1.1 红外辐射及其应用第12-15页
    1.2 红外探测器第15-19页
        1.2.1 红外探测器的分类第15-17页
        1.2.2 现代红外探测器技术的发展第17-18页
        1.2.3 红外探测器的品质因数第18-19页
    1.3 InAs/GaSbⅡ类超晶格基本性质第19-25页
        1.3.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格的晶格结构第19-21页
        1.3.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格的能带结构第21-23页
        1.3.3 InAs/GaSbⅡ类超晶格的主要优势第23-25页
    1.4 InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器的研究进展第25-29页
    1.5 InAs/GaSbⅡ类超晶格结构红外探测器的主要问题第29-33页
        1.5.1 材料因素第29-31页
        1.5.2 器件因素第31-33页
    1.6 本论文的主要研究内容第33-34页
第2章 实验原理和表征方法第34-44页
    2.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格的材料制备方法第34-36页
        2.1.1 MBE技术第34-36页
        2.1.2 MBE的关键生长参数第36页
    2.2 样品结构的表征方法第36-41页
        2.2.1 高分辨X射线衍射第37-38页
        2.2.2 透射电子显微镜第38-39页
        2.2.3 原子力显微镜第39-40页
        2.2.4 正电子湮灭第40-41页
    2.3 探测器器件的制备与性能表征第41-44页
        2.3.1 器件的制备工艺流程第41-43页
        2.3.2 探测器器件性能测试第43-44页
第3章 InAs/GaSbⅡ类超晶格材料生长及表征第44-64页
    3.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格材料应变平衡生长第44-56页
        3.1.1 界面类型与控制方法选择第44-47页
        3.1.2 双In Sb界面InAs/GaSbⅡ类超晶格材料生长第47-48页
        3.1.3 In Sb层厚度对超晶格应变状态的影响第48-54页
        3.1.4 超晶格应力平衡时In Sb层厚度第54-56页
    3.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格界面结构分析第56-59页
    3.3 InAs/GaSbⅡ类超晶格空位点缺陷分析第59-63页
    3.4 本章小结第63-64页
第4章 InAs/GaSbⅡ类超晶格的界面原子互混与偏析第64-87页
    4.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格样品的生长与表征第65-67页
    4.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格界面原子互混与偏析第67-78页
        4.2.1 超晶格的组分分布第67-73页
        4.2.2 超晶格界面原子互混与偏析的定量分析第73-78页
    4.3 RTA对InAs/GaSb超晶格界面原子互混的影响第78-85页
        4.3.1 InAs/GaSb超晶格的快速热退火第78-82页
        4.3.2 InAs/GaSb超晶格RTA的一般规律第82-85页
    4.4 本章小结第85-87页
第5章 InAs/GaSbⅡ类超晶格超长波红外探测器的制备与光电性能研究第87-106页
    5.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器芯片制备第88-90页
        5.1.1 外延片生长及表征第88-89页
        5.1.2 芯片制备第89-90页
    5.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格超长波红外探测器芯片的光电性能第90-104页
        5.2.1 p-i-n型InAs/GaSb超晶格红外探测器基本结构第90-91页
        5.2.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格超长波红外探测器光学性能第91-94页
        5.2.3 InAs/GaSbⅡ类超晶格超长波红外探测器电学性能第94-103页
        5.2.4 InAs/GaSbⅡ类超晶格超长波红外探测器比探测率第103-104页
    5.3 本章小结第104-106页
结论第106-109页
参考文献第109-121页
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果第121-124页
致谢第124-125页
个人简历第125页

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