摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第12-34页 |
1.1 红外辐射及其应用 | 第12-15页 |
1.2 红外探测器 | 第15-19页 |
1.2.1 红外探测器的分类 | 第15-17页 |
1.2.2 现代红外探测器技术的发展 | 第17-18页 |
1.2.3 红外探测器的品质因数 | 第18-19页 |
1.3 InAs/GaSbⅡ类超晶格基本性质 | 第19-25页 |
1.3.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格的晶格结构 | 第19-21页 |
1.3.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格的能带结构 | 第21-23页 |
1.3.3 InAs/GaSbⅡ类超晶格的主要优势 | 第23-25页 |
1.4 InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器的研究进展 | 第25-29页 |
1.5 InAs/GaSbⅡ类超晶格结构红外探测器的主要问题 | 第29-33页 |
1.5.1 材料因素 | 第29-31页 |
1.5.2 器件因素 | 第31-33页 |
1.6 本论文的主要研究内容 | 第33-34页 |
第2章 实验原理和表征方法 | 第34-44页 |
2.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格的材料制备方法 | 第34-36页 |
2.1.1 MBE技术 | 第34-36页 |
2.1.2 MBE的关键生长参数 | 第36页 |
2.2 样品结构的表征方法 | 第36-41页 |
2.2.1 高分辨X射线衍射 | 第37-38页 |
2.2.2 透射电子显微镜 | 第38-39页 |
2.2.3 原子力显微镜 | 第39-40页 |
2.2.4 正电子湮灭 | 第40-41页 |
2.3 探测器器件的制备与性能表征 | 第41-44页 |
2.3.1 器件的制备工艺流程 | 第41-43页 |
2.3.2 探测器器件性能测试 | 第43-44页 |
第3章 InAs/GaSbⅡ类超晶格材料生长及表征 | 第44-64页 |
3.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格材料应变平衡生长 | 第44-56页 |
3.1.1 界面类型与控制方法选择 | 第44-47页 |
3.1.2 双In Sb界面InAs/GaSbⅡ类超晶格材料生长 | 第47-48页 |
3.1.3 In Sb层厚度对超晶格应变状态的影响 | 第48-54页 |
3.1.4 超晶格应力平衡时In Sb层厚度 | 第54-56页 |
3.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格界面结构分析 | 第56-59页 |
3.3 InAs/GaSbⅡ类超晶格空位点缺陷分析 | 第59-63页 |
3.4 本章小结 | 第63-64页 |
第4章 InAs/GaSbⅡ类超晶格的界面原子互混与偏析 | 第64-87页 |
4.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格样品的生长与表征 | 第65-67页 |
4.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格界面原子互混与偏析 | 第67-78页 |
4.2.1 超晶格的组分分布 | 第67-73页 |
4.2.2 超晶格界面原子互混与偏析的定量分析 | 第73-78页 |
4.3 RTA对InAs/GaSb超晶格界面原子互混的影响 | 第78-85页 |
4.3.1 InAs/GaSb超晶格的快速热退火 | 第78-82页 |
4.3.2 InAs/GaSb超晶格RTA的一般规律 | 第82-85页 |
4.4 本章小结 | 第85-87页 |
第5章 InAs/GaSbⅡ类超晶格超长波红外探测器的制备与光电性能研究 | 第87-106页 |
5.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器芯片制备 | 第88-90页 |
5.1.1 外延片生长及表征 | 第88-89页 |
5.1.2 芯片制备 | 第89-90页 |
5.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格超长波红外探测器芯片的光电性能 | 第90-104页 |
5.2.1 p-i-n型InAs/GaSb超晶格红外探测器基本结构 | 第90-91页 |
5.2.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格超长波红外探测器光学性能 | 第91-94页 |
5.2.3 InAs/GaSbⅡ类超晶格超长波红外探测器电学性能 | 第94-103页 |
5.2.4 InAs/GaSbⅡ类超晶格超长波红外探测器比探测率 | 第103-104页 |
5.3 本章小结 | 第104-106页 |
结论 | 第106-109页 |
参考文献 | 第109-121页 |
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第121-124页 |
致谢 | 第124-125页 |
个人简历 | 第125页 |