摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-10页 |
第1章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 石墨烯概述 | 第11-13页 |
1.3 石墨烯纳米带的结构 | 第13-14页 |
1.4 石墨烯纳米带的性质 | 第14-15页 |
1.5 石墨烯纳米带的制备方法 | 第15-21页 |
1.5.1 氧化法 | 第15-17页 |
1.5.2 刻蚀CNTs法 | 第17页 |
1.5.3 微爆法 | 第17-18页 |
1.5.4 催化法 | 第18-19页 |
1.5.5 纳米线刻蚀法 | 第19-20页 |
1.5.6 有机合成法 | 第20-21页 |
1.6 石墨烯纳米带的应用 | 第21-24页 |
1.6.1 在场效应管中的应用 | 第22页 |
1.6.2 在传感器中的应用 | 第22-23页 |
1.6.3 在太阳能电池中的应用 | 第23-24页 |
1.7 本论文的研究内容及意义 | 第24-27页 |
第2章 密度泛函理论简介 | 第27-33页 |
2.1 绪论 | 第27-28页 |
2.2 DFT简介 | 第28-29页 |
2.2.1 薛定谔方程 | 第28-29页 |
2.2.2 Hohenberg-Kohn定理:多体理论 | 第29页 |
2.2.3 Kohn-Sham方程:有效单体理论 | 第29页 |
2.3 交换关联泛函 | 第29-31页 |
2.3.1 局域密度近似 | 第30-31页 |
2.3.2 广义梯度近似 | 第31页 |
2.3.3 杂化交换关联泛函 | 第31页 |
2.4 计算软件 | 第31-33页 |
第3章 不同官能团对石墨烯纳米带的电子结构和光学性质影响的研究 | 第33-41页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 理论方法和模型 | 第33-34页 |
3.3 结果和讨论 | 第34-40页 |
3.3.1 形成能和带隙变化的分析 | 第34-37页 |
3.3.2 光跃迁的分析 | 第37-38页 |
3.3.3 对CBM和VBM的分析 | 第38-39页 |
3.3.4 激子波函数的分析 | 第39-40页 |
3.4 本章小结 | 第40-41页 |
第4章 Stone-Wales缺陷和氢化对石墨烯纳米带的电子结构和光学性质的影响 | 第41-49页 |
4.1 引言 | 第41页 |
4.2 理论方法和模型 | 第41-42页 |
4.3 结果与讨论 | 第42-48页 |
4.3.1 形成能和带隙变化的分析 | 第42-44页 |
4.3.2 光跃迁的分析 | 第44-45页 |
4.3.3 对CBM和VBM的分析 | 第45-46页 |
4.3.4 激子波函数的分析 | 第46-48页 |
4.4 本章小结 | 第48-49页 |
第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
5.1 全文总结 | 第49页 |
5.2 展望 | 第49-51页 |
参考文献 | 第51-63页 |
致谢 | 第63-65页 |
硕士在读期间科研成果 | 第65页 |