| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-18页 |
| §1.1 InGaAs/InP PIN红外探测器介绍 | 第10-13页 |
| §1.1.1 延展波长InGaAs PIN红外探测器的工作原理 | 第10页 |
| §1.1.2 InGaAs和InP的材料特征 | 第10-12页 |
| §1.1.3 InGaAs/InP PIN红外探测器的发展现状 | 第12-13页 |
| §1.2 延展波长器件中暗电流物理机制的研究现状 | 第13-17页 |
| §1.2.1 In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP暗电流机制 | 第13-15页 |
| §1.2.2 延展波长器件的暗电流机制 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第二章 InGaAs/InP探测器的制备及结构特征 | 第18-25页 |
| §2.1 MOCVD和GSMBE生长工艺 | 第18-19页 |
| §2.2 GSMBE生长In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器及其结构特征 | 第19-20页 |
| §2.3 MOCVD生长In_(0.78)Ga_(0.22)As/InP探测器及其结构特征 | 第20-21页 |
| §2.4 GSMBE生长In_(0.83)Ga_(0.17)As/InP探测器及结构特征 | 第21-23页 |
| §2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-25页 |
| 第三章 InGaAs/InP探测器中的深能级缺陷 | 第25-33页 |
| §3.1 深能级缺陷瞬态谱(DLTS)介绍 | 第25-26页 |
| §3.2 深能级缺陷瞬态谱测量 | 第26-27页 |
| §3.3 In_(0.53)Ga_(0.47)As样品中的深能级缺陷 | 第27-28页 |
| §3.4 In_(0.78)Ga_(0.22)As样品中的深能级缺陷 | 第28-30页 |
| §3.5 In_(0.83)Ga_(0.17)As样品中的深能级缺陷 | 第30-31页 |
| §3.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第四章 暗电流机理的研究方法 | 第33-37页 |
| §4.1 一般研究方法 | 第33页 |
| §4.2 本课题采用的研究方法 | 第33-35页 |
| §4.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第五章 延展波长In_xGa_(1-x)As/InP探测器的暗电流机理分析 | 第37-51页 |
| §5.1 Silvaco-TCAD提供的暗电流模型 | 第37-40页 |
| §5.2 In_(0.78)Ga_(0.22)As红外探测器暗电流机理分析 | 第40-45页 |
| §5.2.1 In_(0.78)Ga_(0.22)As红外探测器变温Ⅰ-Ⅴ特性 | 第40-41页 |
| §5.2.2 In_(0.78)Ga_(0.22)As红外探测器暗电流的模拟仿真 | 第41-45页 |
| §5.3 In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器暗电流机理分析 | 第45-49页 |
| §5.3.1 In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器变温Ⅰ-Ⅴ特性 | 第45页 |
| §5.3.2 In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器暗电流的模拟与仿真 | 第45-49页 |
| §5.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第六章 In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器表面钝化工艺的研究 | 第51-56页 |
| §6.1 ICPCVD和PECVD表面钝化工艺条件下器件的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第51-53页 |
| §6.2 不同表面钝化工艺条件下器件的暗电流模拟仿真 | 第53-54页 |
| §6.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第七章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 硕士期间发表论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
