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延展波长InxGa1-xAs/InP PIN红外探测器的暗电流机制研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 引言第10-18页
    §1.1 InGaAs/InP PIN红外探测器介绍第10-13页
        §1.1.1 延展波长InGaAs PIN红外探测器的工作原理第10页
        §1.1.2 InGaAs和InP的材料特征第10-12页
        §1.1.3 InGaAs/InP PIN红外探测器的发展现状第12-13页
    §1.2 延展波长器件中暗电流物理机制的研究现状第13-17页
        §1.2.1 In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP暗电流机制第13-15页
        §1.2.2 延展波长器件的暗电流机制第15-17页
    参考文献第17-18页
第二章 InGaAs/InP探测器的制备及结构特征第18-25页
    §2.1 MOCVD和GSMBE生长工艺第18-19页
    §2.2 GSMBE生长In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器及其结构特征第19-20页
    §2.3 MOCVD生长In_(0.78)Ga_(0.22)As/InP探测器及其结构特征第20-21页
    §2.4 GSMBE生长In_(0.83)Ga_(0.17)As/InP探测器及结构特征第21-23页
    §2.5 本章小结第23-24页
    参考文献第24-25页
第三章 InGaAs/InP探测器中的深能级缺陷第25-33页
    §3.1 深能级缺陷瞬态谱(DLTS)介绍第25-26页
    §3.2 深能级缺陷瞬态谱测量第26-27页
    §3.3 In_(0.53)Ga_(0.47)As样品中的深能级缺陷第27-28页
    §3.4 In_(0.78)Ga_(0.22)As样品中的深能级缺陷第28-30页
    §3.5 In_(0.83)Ga_(0.17)As样品中的深能级缺陷第30-31页
    §3.6 本章小结第31-32页
    参考文献第32-33页
第四章 暗电流机理的研究方法第33-37页
    §4.1 一般研究方法第33页
    §4.2 本课题采用的研究方法第33-35页
    §4.3 本章小结第35-36页
    参考文献第36-37页
第五章 延展波长In_xGa_(1-x)As/InP探测器的暗电流机理分析第37-51页
    §5.1 Silvaco-TCAD提供的暗电流模型第37-40页
    §5.2 In_(0.78)Ga_(0.22)As红外探测器暗电流机理分析第40-45页
        §5.2.1 In_(0.78)Ga_(0.22)As红外探测器变温Ⅰ-Ⅴ特性第40-41页
        §5.2.2 In_(0.78)Ga_(0.22)As红外探测器暗电流的模拟仿真第41-45页
    §5.3 In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器暗电流机理分析第45-49页
        §5.3.1 In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器变温Ⅰ-Ⅴ特性第45页
        §5.3.2 In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器暗电流的模拟与仿真第45-49页
    §5.4 本章小结第49-50页
    参考文献第50-51页
第六章 In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器表面钝化工艺的研究第51-56页
    §6.1 ICPCVD和PECVD表面钝化工艺条件下器件的Ⅰ-Ⅴ特性第51-53页
    §6.2 不同表面钝化工艺条件下器件的暗电流模拟仿真第53-54页
    §6.3 本章小结第54-55页
    参考文献第55-56页
第七章 结论与展望第56-58页
硕士期间发表论文第58-59页
致谢第59-60页

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