| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-14页 |
| 1.1.1 快闪存储器的发展历程 | 第10-12页 |
| 1.1.2 纳米存储器的可靠性研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2 论文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 SONOS存储器的工作机理及表征 | 第17-31页 |
| 2.1 纳米SONOS存储器简介 | 第17-18页 |
| 2.2 编程与擦除机制 | 第18-24页 |
| 2.2.1 Fowler-Nordheim(FN)隧穿 | 第18-19页 |
| 2.2.2 沟道热电子注入 | 第19-22页 |
| 2.2.3 衬底偏置辅助热电子注入 | 第22-23页 |
| 2.2.4 带-带隧穿 | 第23-24页 |
| 2.3 电荷及界面态分布的表征技术 | 第24-27页 |
| 2.3.1 电荷泵电流技术(Charge Pumping) | 第24-25页 |
| 2.3.2 亚阈值斜率表征技术 | 第25-27页 |
| 2.3.3 反向读阈值电压技术 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 利用单电子技术表征SONOS器件中的局域电荷分布 | 第31-45页 |
| 3.1 单电子效应简介 | 第32-34页 |
| 3.2 单电子注入方法研究 | 第34-38页 |
| 3.2.1 低压CHEI注入方法 | 第34-35页 |
| 3.2.2 单电子注入的影响因素分析 | 第35-37页 |
| 3.2.3 单电子注入对阈值电压的影响 | 第37-38页 |
| 3.3 单电子注入位置的表征 | 第38-41页 |
| 3.3.1 表征原理介绍 | 第38-40页 |
| 3.3.2 实验及结果分析 | 第40-41页 |
| 3.4 局域电荷分布的表征 | 第41-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 金属互连中低K-SiOx介质研究 | 第45-66页 |
| 4.1 金属互连系统概述 | 第45-52页 |
| 4.1.1 双大马士革铜互连工艺 | 第45-49页 |
| 4.1.2 低K介质简介 | 第49-52页 |
| 4.2 低K介质的可靠性研究 | 第52-59页 |
| 4.2.1 可靠性测试结构 | 第52-53页 |
| 4.2.2 可靠性研究方法 | 第53-59页 |
| 4.3 低K-SiOx介质制备及可靠性研究 | 第59-63页 |
| 4.3.1 低K-SiOx介质的制备 | 第59-60页 |
| 4.3.2 低K-SiOx介质的可靠性研究 | 第60-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第五章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 硕士期间成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
