基于悬浮纳米薄膜的应变锗LED研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 应变锗LED器件国内外发展现状 | 第17-18页 |
| 1.3 论文主要工作和章节安排 | 第18-20页 |
| 第二章 应变锗材料特性研究与能带计算 | 第20-32页 |
| 2.1 应变锗材料简介 | 第20-24页 |
| 2.1.1 锗材料的物理性质 | 第20-22页 |
| 2.1.2 锗材料在电学上的应用 | 第22-23页 |
| 2.1.3 锗材料在光学上的应用 | 第23-24页 |
| 2.2 能带计算方法 | 第24-27页 |
| 2.2.1 赝势法 | 第24-26页 |
| 2.2.2 紧束缚近似法 | 第26-27页 |
| 2.3 应变锗能带计算 | 第27-31页 |
| 2.3.1 DFTB+模块介绍与计算原理 | 第27-28页 |
| 2.3.2 基于DFTB+的应变锗材料能带计算 | 第28-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 应力引入与器件结构研究 | 第32-42页 |
| 3.1 应力引入方法介绍 | 第32-36页 |
| 3.1.1 机械应变 | 第32-33页 |
| 3.1.2 基于纳米薄膜的高压气体致应变 | 第33页 |
| 3.1.3 工艺应变 | 第33-34页 |
| 3.1.4 GeSn合金 | 第34-35页 |
| 3.1.5 热退火应力＋掺杂 | 第35-36页 |
| 3.1.6 量子晶体 | 第36页 |
| 3.2 氮化硅薄膜致应变引入机制及样品制备 | 第36-39页 |
| 3.3 应变锗LED器件结构设计 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 应变Ge LED仿真研究 | 第42-56页 |
| 4.1 Silvaco仿真软件介绍 | 第42-43页 |
| 4.2 应变锗发光二极管仿真 | 第43-48页 |
| 4.3 分析与讨论 | 第48-55页 |
| 4.3.1 P/N区掺杂浓度对器件特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.2 锗膜厚度对器件特性的影响 | 第50-52页 |
| 4.3.3 应变大小对器件特性的影响 | 第52-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 应变锗LED器件实验研究 | 第56-64页 |
| 5.1 样品制备与工艺流程 | 第56-59页 |
| 5.2 实验结果分析 | 第59-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 作者简介 | 第72-74页 |
