| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.1.1 激光冷却铍离子的意义及研究现状 | 第10-11页 |
| 1.1.2 用于Be~+冷却的313nm激光的传统获得方法 | 第11页 |
| 1.1.3 半导体激光器的发展历史 | 第11-12页 |
| 1.2 本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第2章 设计方案 | 第14-36页 |
| 2.1 激光冷却Be~+对于冷却激光的要求 | 第14页 |
| 2.2 半导体激光器的工作原理 | 第14-21页 |
| 2.2.1 光的自发辐射、受激吸收、受激辐射 | 第14-16页 |
| 2.2.2 激光产生的条件 | 第16页 |
| 2.2.3 半导体激光器的基本组成及其作用 | 第16-21页 |
| 2.3 半导体激光器的特性 | 第21-31页 |
| 2.3.1 阈值电流密度与直接电流调制 | 第21-23页 |
| 2.3.2 半导体激光器的P-I特性 | 第23-25页 |
| 2.3.3 半导体激光器的温度特性 | 第25-26页 |
| 2.3.4 半导体激光的线宽 | 第26-27页 |
| 2.3.5 半导体激光的模式与空间分布 | 第27-28页 |
| 2.3.6 半导体激光器频率的稳定特性与影响因素 | 第28-31页 |
| 2.4 半导体激光器的温度控制系统 | 第31-33页 |
| 2.4.1 半导体激光器温度控制系统的必要性 | 第31页 |
| 2.4.2 制冷片与散热 | 第31-32页 |
| 2.4.3 半导体激光器二级制冷方案与实施 | 第32-33页 |
| 2.5 半导体激光器的稳频 | 第33-36页 |
| 2.5.1 半导体激光器稳频的必要性 | 第33页 |
| 2.5.2 稳频原理 | 第33页 |
| 2.5.3 稳频方案 | 第33-36页 |
| 第3章 626nm半导体激光器的实现 | 第36-44页 |
| 3.1 激光二极管控制器 | 第36页 |
| 3.2 激光器的温度控制系统 | 第36-40页 |
| 3.2.1 二级制冷系统 | 第36-39页 |
| 3.2.2 激光器的散热系统 | 第39-40页 |
| 3.3 激光器的稳频系统 | 第40-43页 |
| 3.3.1 波长计 | 第40-41页 |
| 3.3.2 PZT电压控制器 | 第41-42页 |
| 3.3.3 激光器稳频的实现 | 第42-43页 |
| 3.4 激光器的实现 | 第43-44页 |
| 第4章 激光器的测试与分析 | 第44-51页 |
| 4.1 626nm半导体激光器测试基本装置 | 第44-45页 |
| 4.2 测试所用设备及其精度 | 第45页 |
| 4.3 激光器的测试结果与分析 | 第45-51页 |
| 第5章 总结与下一步工作计划 | 第51-53页 |
| 5.1 总结 | 第51页 |
| 5.2 下一步工作计划 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 作者简介及硕士期间发表的学术论文 | 第55页 |