| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-38页 |
| 1.1 单元素低维材料的基本性质和研究现状 | 第12-20页 |
| 1.1.1 石墨烯 | 第12-16页 |
| 1.1.2 硅烯和锗烯 | 第16-18页 |
| 1.1.3 磷烯 | 第18-20页 |
| 1.2 过渡金属二硫族化合物的基本性质和研究现状 | 第20-28页 |
| 1.2.1 二硫化钼 | 第20-27页 |
| 1.2.2 二硫化铼 | 第27-28页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-38页 |
| 第二章 工作中使用的理论以及研究方法 | 第38-45页 |
| 2.1 Born-Oppenheimer近似 | 第38-39页 |
| 2.2 Hartree-Fock近似 | 第39-40页 |
| 2.3 密度泛函理论(DFT) | 第40-44页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第40-41页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第41-42页 |
| 2.3.3 交换关联势 | 第42页 |
| 2.3.4 赝势方法 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 电子与声子相互作用 | 第45-65页 |
| 3.1 玻尔兹曼方程和弛豫时间近似 | 第45-48页 |
| 3.2 电子与声子相互作用 | 第48-64页 |
| 3.2.1 晶格动力学 | 第48-50页 |
| 3.2.2 电子与长波声频支声子的相互作用 | 第50-57页 |
| 3.2.3 电子与长波光频支声子的相互作用 | 第57-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第四章 边界饱和和拉伸应变对磷烯纳米带的输运性质调控研究 | 第65-80页 |
| 4.1 研究背景 | 第65-66页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第66-67页 |
| 4.3 边界饱和对磷烯纳米带输运性质的调控 | 第67-75页 |
| 4.4 拉伸应变对磷烯纳米带输运性质的调控 | 第75-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 第五章 吸附,应变,和缺陷对单层ReS_2电磁性质的调控 | 第80-98页 |
| 5.1 研究背景 | 第80-81页 |
| 5.2 非金属单原子吸附对单层ReS_2的调控 | 第81-89页 |
| 5.2.1 计算方法和模型 | 第81-82页 |
| 5.2.2 计算结果与讨论 | 第82-89页 |
| 5.2.3 小结 | 第89页 |
| 5.3 应变对含缺陷单层ReS_2的电磁性质的调控 | 第89-95页 |
| 5.3.1 计算方法和模型 | 第89-90页 |
| 5.3.2 计算结果与讨论 | 第90-94页 |
| 5.3.3 小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第六章 全文总结和展望 | 第98-100页 |
| 博士期间发表和待发表的论文 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
