抗辐射加固SRAM设计
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| ·课题背景 | 第17-19页 |
| ·国内外研究现状 | 第19-20页 |
| ·本文主要工作和研究成果 | 第20页 |
| ·本文的内容安排 | 第20-23页 |
| 第二章 辐射环境及辐射效应 | 第23-31页 |
| ·空间辐射环境 | 第23-25页 |
| ·地球辐射带 | 第23-24页 |
| ·太阳宇宙射线 | 第24页 |
| ·银河宇宙射线 | 第24-25页 |
| ·空间辐射效应 | 第25-29页 |
| ·总剂量效应 | 第25-26页 |
| ·单粒子效应 | 第26-28页 |
| ·剂量率效应 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 存储单元设计 | 第31-47页 |
| ·SRAM存储单元 | 第31-32页 |
| ·SRAM存储单元工作原理 | 第32-39页 |
| ·SRAM存储单元读操作 | 第32-34页 |
| ·SRAM存储单元写操作 | 第34-35页 |
| ·SRAM存储单元稳定性 | 第35-39页 |
| ·存储单元的单粒子翻转机理 | 第39-40页 |
| ·存储单元的加固方法 | 第40-44页 |
| ·存储单元的抗SEU加固 | 第40-44页 |
| ·存储单元的抗SEL加固 | 第44页 |
| ·双端口储存单元的设计 | 第44-46页 |
| ·1R1W结构存储单元 | 第44-45页 |
| ·2RW结构存储单元 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 SRAM外围电路的设计 | 第47-59页 |
| ·总体电路设计 | 第47页 |
| ·控制电路设计 | 第47-49页 |
| ·译码电路设计 | 第49-50页 |
| ·灵敏放大器的设计 | 第50-55页 |
| ·电流镜型电压灵敏放大器 | 第51-52页 |
| ·差分耦合电压灵敏放大器 | 第52-53页 |
| ·锁存型电压灵敏放大器 | 第53-55页 |
| ·数据I/O的设计 | 第55页 |
| ·系统级电路设计 | 第55-58页 |
| ·三模冗余 | 第55-56页 |
| ·EDAC电路设计 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 抗辐射加固SRAM版图设计 | 第59-69页 |
| ·全定制版图设计流程 | 第59-60页 |
| ·SRAM整体规划布局 | 第60-61页 |
| ·版图级SEL的加固方法 | 第61页 |
| ·各模块的设计 | 第61-66页 |
| ·存储单元版图设计 | 第61-63页 |
| ·灵敏放大器版图设计 | 第63页 |
| ·译码电路版图设计 | 第63-65页 |
| ·控制电路版图设计 | 第65-66页 |
| ·EDAC版图 | 第66页 |
| ·SRAM整体版图 | 第66-67页 |
| ·SRAM物理信息库的生成 | 第67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 抗辐射加固SRAM仿真验证 | 第69-81页 |
| ·版图的检查 | 第69-72页 |
| ·DRC检查 | 第69-70页 |
| ·LVS检查 | 第70-71页 |
| ·寄生参数提取 | 第71-72页 |
| ·存储单元的仿真验证 | 第72-77页 |
| ·存储单元读能力仿真 | 第72-73页 |
| ·存储单元写容限仿真 | 第73-74页 |
| ·存储单元写容限仿真 | 第74-75页 |
| ·存储单元写容限仿真 | 第75-77页 |
| ·灵敏放大器的仿真验证 | 第77-78页 |
| ·SRAM的整体仿真 | 第78-79页 |
| ·SRAM存储单元的SEL仿真 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第七章 总结与展望 | 第81-83页 |
| ·工作总结 | 第81页 |
| ·未来展望 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |
