| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| ·研究背景 | 第11页 |
| ·研究现状 | 第11-19页 |
| ·真空沿面闪络机理研究 | 第11-13页 |
| ·真空沿面闪络影响因素 | 第13-17页 |
| ·高梯度绝缘子研究的发展 | 第17-19页 |
| ·论文工作概述 | 第19-22页 |
| ·选题意义 | 第19-20页 |
| ·研究目的 | 第20-21页 |
| ·研究内容与创新点 | 第21-22页 |
| 第2章 基于二次电子崩模型的真空沿面闪络理论概述 | 第22-31页 |
| ·初始电子发射 | 第22-25页 |
| ·二次电子发射 | 第25-27页 |
| ·绝缘体表面的气体释放和在解吸附气体层中的击穿 | 第27-28页 |
| ·Pillai-Hackam模型 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 高梯度表面微带绝缘子基于二次电子崩模型的理论研究 | 第31-47页 |
| ·对闪络时延与闪络场强关系的解释 | 第31-33页 |
| ·脉冲波形对表面微带绝缘子沿面闪络的影响 | 第33-34页 |
| ·基于二次电子崩模型的电子跳跃及绝缘层厚度上限估计 | 第34-37页 |
| ·表面微带绝缘子电场对沿面闪络的影响 | 第37-40页 |
| ·影响表面微带绝缘子表面电场分布的因素 | 第37-38页 |
| ·表面微带绝缘子电场有限元计算 | 第38-40页 |
| ·表面微带与电子的相互作用 | 第40-44页 |
| ·表面微带金属层的二次电子发射 | 第40页 |
| ·电子对金属微带的充电效应 | 第40-41页 |
| ·金属微带吸收发射电子的平衡机制 | 第41页 |
| ·表面微带的电容效应 | 第41-43页 |
| ·三相点电子发射负反馈过程 | 第43-44页 |
| ·微带结构与传统绝缘子击穿电压的联系 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第4章 高梯度表面微带绝缘子数值模拟方法研究 | 第47-58页 |
| ·沿面闪络模拟研究进展 | 第47-48页 |
| ·表面微带绝缘子真空沿面闪络模拟程序设计 | 第48-57页 |
| ·物理建模 | 第48-50页 |
| ·对基本物理过程的处理 | 第48-49页 |
| ·模拟计算的实时性 | 第49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| ·程序架构 | 第50页 |
| ·程序核心算法 | 第50-56页 |
| ·采用有限元方法的电磁场计算 | 第50-53页 |
| ·初始电子发射和二次电子发射(Monte Carlo方法) | 第53-55页 |
| ·带电粒子和电磁场的耦合(PIC方法) | 第55-56页 |
| ·绝缘子表面电荷 | 第56页 |
| ·表面微带绝缘子程序具体过程 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 高梯度表面微带绝缘子结构参数设计方法 | 第58-64页 |
| ·结构参数设计综述 | 第58-59页 |
| ·材料物理参数 | 第58页 |
| ·金属微带带宽、嵌入深度和突出长度设计 | 第58页 |
| ·基于表面微带绝缘子沿面闪络发展的极性效应的金属微带参数调制 | 第58-59页 |
| ·表面微带绝缘体参数设计 | 第59-63页 |
| ·金属微带的起始和结束位置 | 第59页 |
| ·金属层嵌入深度和突出长度 | 第59-60页 |
| ·金属层和绝缘层厚度的比值 | 第60-61页 |
| ·金属层充电的效果 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第6章 总结与展望 | 第64-66页 |
| ·全文总结 | 第64-65页 |
| ·工作不足与展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第71页 |
