| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 目录 | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-34页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·纳米材料的物理效应 | 第16-21页 |
| ·一维纳米材料 | 第21-25页 |
| ·本论文的选题背景和研究内容 | 第25-28页 |
| 参考文献 | 第28-34页 |
| 第二章 一维核/壳结构以及纳米管结构的研究现状和主要应用 | 第34-58页 |
| ·一维核/壳结构研究现状及其主要应用 | 第34-43页 |
| ·核/壳结构纳米复合材料的制备方法 | 第34-38页 |
| ·核/壳结构纳米复合材料的应用 | 第38-43页 |
| ·纳米管结构研究现状及其主要应用 | 第43-50页 |
| ·纳米管结构的制备方法 | 第43-47页 |
| ·纳米管结构的应用 | 第47-50页 |
| 参考文献 | 第50-58页 |
| 第三章 材料制备方法和表征手段 | 第58-71页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·实验方法及仪器介绍 | 第59-62页 |
| ·基片的清洗 | 第59-61页 |
| ·液相法制备 ZnO 以及硫化物纳米结构 | 第61-62页 |
| ·测试仪器及方法 | 第62-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第四章 半导体 ZnO/ZnS 核/壳纳米棒以及 ZnS 纳米管的制备及性质研究 | 第71-98页 |
| ·ZnO/ZnS 核/壳纳米棒以及 ZnS 纳米管的制备 | 第72页 |
| ·样品的表征与结果的讨论 | 第72-77页 |
| ·样品生长机制的探讨 | 第77-79页 |
| ·样品光学性质的讨论 | 第79-81页 |
| ·样品气敏性质的讨论 | 第81-87页 |
| ·气敏特性的测试 | 第81-85页 |
| ·样品对 H_2S 气敏性质的探讨 | 第85-87页 |
| ·气敏机理模型以及分析 | 第87-91页 |
| ·表面电导控制模型 | 第87-89页 |
| ·晶界势垒理论模型 | 第89-90页 |
| ·能带理论模型 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-98页 |
| 第五章 基于 ZnS 纳米管多种半导体硫化物纳米管的可控合成及物性研究 | 第98-135页 |
| ·Sb_2S_3纳米管以及其他金属硫化物纳米管的制备 | 第100页 |
| ·ZnS 纳米管和 Sb_2S_3纳米管的表征与结果的讨论 | 第100-104页 |
| ·ZnS 纳米管的结构和成分表征 | 第100-102页 |
| ·Sb_2S_3纳米管的结构和成分表征 | 第102-104页 |
| ·Sb_2S_3纳米管形成机理的研究 | 第104页 |
| ·退火处理对 Sb_2S_3纳米管形貌、结构性能以及光催化性能的影响 | 第104-113页 |
| ·退火处理对 Sb_2S_3纳米管形貌的影响 | 第105页 |
| ·退火处理对 Sb_2S_3纳米管结构性能的影响 | 第105-108页 |
| ·退火处理对 Sb_2S_3纳米管光催化性能的影响 | 第108-111页 |
| ·光催化反应原理 | 第111-113页 |
| ·将化学转化法推广到其它金属硫化物纳米管的制备 | 第113-121页 |
| ·硫化物微纳米材料的潜在应用与研究进展 | 第113-117页 |
| ·其它金属硫化物纳米管的制备 | 第117-121页 |
| ·所制备的金属硫化物纳米管的光学性质 | 第121-122页 |
| ·本章小结 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-135页 |
| 第六章 总结与展望 | 第135-137页 |
| ·本文主要结论和创新点 | 第135-136页 |
| ·下一步的工作及展望 | 第136-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 完成论文目录 | 第138页 |
