| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-47页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·反钙钛矿AXMn_3的晶体结构与相关理论研究概况 | 第12-19页 |
| ·AXMn_3的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·AXMn_3的磁容积效应 | 第13-17页 |
| ·AXMn_3的自旋、晶格及电荷强关联的研究进展 | 第17-19页 |
| ·不同反钙钛矿材料AXMn_3的物性研究进展 | 第19-31页 |
| ·AXMn_3的近零电阻温度系数 | 第20-24页 |
| ·AXMn_3的巨磁阻效应 | 第24-26页 |
| ·AXMn_3的高压磁效应 | 第26-27页 |
| ·AXMn_3的磁热效应 | 第27-30页 |
| ·AXMn_3的自旋玻璃态 | 第30-31页 |
| ·掺杂对于AXMn_3的晶格与磁电输运性质的影响 | 第31-36页 |
| ·A位掺杂对于AXMn_3的晶格与磁电输运性质的影响 | 第31-33页 |
| ·Mn位掺杂对于AXMn_3的晶格与磁电输运性质的影响 | 第33-36页 |
| ·AXMn_3的薄膜制备以及低维效应的研究 | 第36-40页 |
| ·AXMn_3的薄膜制备工艺 | 第36-39页 |
| ·AXMn_3的薄膜的磁电输运性质 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-47页 |
| 第二章 样品的制备方法和表征手段 | 第47-57页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·GaCMn_3多晶靶材的制备 | 第47-48页 |
| ·GaCMn_3多晶靶材的物性测试结果 | 第48-50页 |
| ·XRD结果 | 第48页 |
| ·磁性质 | 第48-50页 |
| ·GaCMn_3反钙钛矿外延薄膜的制备方法 | 第50-51页 |
| ·外延膜的结构表征 | 第51-54页 |
| ·X射线衍射(X-ray diffraction,XRD) | 第51-53页 |
| ·X射线衍射倒易空间图(Reciprocal space mp) | 第53-54页 |
| ·外延膜的形貌表征—原子力显微镜(AFM) | 第54-55页 |
| ·外延膜的低温磁电输运性质的测量 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第三章 制备条件对反钙钛矿GaCMn_3薄膜的影响 | 第57-71页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·GaCMn_3薄膜样品的制备和测试方法介绍 | 第58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-68页 |
| ·不同衬底温度上制备的GaCMn_3薄膜结构及物性分析 | 第58-65页 |
| ·不同脉冲激光能量制备的GaCMn_3薄膜结构及物性分析 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第四章 GaCMn_3薄膜中的应力与厚度效应 | 第71-87页 |
| ·引言 | 第71-72页 |
| ·样品的制备与测试表征 | 第72页 |
| ·结果与讨论 | 第72-84页 |
| ·GCM/LAO(001)薄膜结构与磁性随厚度的演化 | 第72-78页 |
| ·GCM/LAST(001)和GCM/STO(001)薄膜结构与磁性随厚度的演化 | 第78-82页 |
| ·对比不同衬底上GaCMn_3薄膜的结构与磁性 | 第82-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 在读期间的学术成果与获奖情况 | 第87页 |
| 参加会议 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
