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反钙钛矿GaCMn3外延薄膜的制备与物性研究

摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第一章 绪论第11-47页
   ·引言第11-12页
   ·反钙钛矿AXMn_3的晶体结构与相关理论研究概况第12-19页
     ·AXMn_3的晶体结构第12-13页
     ·AXMn_3的磁容积效应第13-17页
     ·AXMn_3的自旋、晶格及电荷强关联的研究进展第17-19页
   ·不同反钙钛矿材料AXMn_3的物性研究进展第19-31页
     ·AXMn_3的近零电阻温度系数第20-24页
     ·AXMn_3的巨磁阻效应第24-26页
     ·AXMn_3的高压磁效应第26-27页
     ·AXMn_3的磁热效应第27-30页
     ·AXMn_3的自旋玻璃态第30-31页
   ·掺杂对于AXMn_3的晶格与磁电输运性质的影响第31-36页
     ·A位掺杂对于AXMn_3的晶格与磁电输运性质的影响第31-33页
     ·Mn位掺杂对于AXMn_3的晶格与磁电输运性质的影响第33-36页
   ·AXMn_3的薄膜制备以及低维效应的研究第36-40页
     ·AXMn_3的薄膜制备工艺第36-39页
     ·AXMn_3的薄膜的磁电输运性质第39-40页
   ·本章小结第40-41页
 参考文献第41-47页
第二章 样品的制备方法和表征手段第47-57页
   ·引言第47页
   ·GaCMn_3多晶靶材的制备第47-48页
   ·GaCMn_3多晶靶材的物性测试结果第48-50页
     ·XRD结果第48页
     ·磁性质第48-50页
   ·GaCMn_3反钙钛矿外延薄膜的制备方法第50-51页
   ·外延膜的结构表征第51-54页
     ·X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)第51-53页
     ·X射线衍射倒易空间图(Reciprocal space mp)第53-54页
   ·外延膜的形貌表征—原子力显微镜(AFM)第54-55页
   ·外延膜的低温磁电输运性质的测量第55页
   ·本章小结第55-56页
 参考文献第56-57页
第三章 制备条件对反钙钛矿GaCMn_3薄膜的影响第57-71页
   ·引言第57-58页
   ·GaCMn_3薄膜样品的制备和测试方法介绍第58页
   ·结果与讨论第58-68页
     ·不同衬底温度上制备的GaCMn_3薄膜结构及物性分析第58-65页
     ·不同脉冲激光能量制备的GaCMn_3薄膜结构及物性分析第65-68页
   ·本章小结第68-69页
 参考文献第69-71页
第四章 GaCMn_3薄膜中的应力与厚度效应第71-87页
   ·引言第71-72页
   ·样品的制备与测试表征第72页
   ·结果与讨论第72-84页
     ·GCM/LAO(001)薄膜结构与磁性随厚度的演化第72-78页
     ·GCM/LAST(001)和GCM/STO(001)薄膜结构与磁性随厚度的演化第78-82页
     ·对比不同衬底上GaCMn_3薄膜的结构与磁性第82-84页
   ·本章小结第84-86页
 参考文献第86-87页
在读期间的学术成果与获奖情况第87页
参加会议第87-88页
致谢第88-89页

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