| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·二氧化钒的性质 | 第8-11页 |
| ·二氧化钒的应用 | 第11页 |
| ·二氧化钒的研究现状 | 第11-12页 |
| ·本课题研究的意义 | 第12页 |
| ·本课题研究的目的和主要内容 | 第12-14页 |
| 2 二氧化钒薄膜的制备及结构表征方法 | 第14-27页 |
| ·硅片的预处理 | 第14-18页 |
| ·磁控溅射制备二氧化钒薄膜 | 第18-20页 |
| ·结构表征分析 | 第20-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3 二氧化钒薄膜的微区拉曼测试 | 第27-41页 |
| ·二氧化钒微区拉曼测试实验原理 | 第27-28页 |
| ·二氧化钒微区拉曼测试器件介绍 | 第28-29页 |
| ·二氧化钒薄膜微区拉曼测试结果及分析 | 第29-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 4 二氧化钒薄膜MOS 电容测试 | 第41-56页 |
| ·二氧化钒薄膜MOS 电容测试原理 | 第41-45页 |
| ·二氧化钒薄膜MOS 电容结构制作 | 第45-51页 |
| ·二氧化钒薄膜MOS 电容测试结果及分析 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 5 结论和展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |