摘要 | 第2-3页 |
abstract | 第3页 |
第一章 绪论 | 第8-14页 |
1.1 研究背景 | 第8-10页 |
1.2 研究现状 | 第10-12页 |
1.3 本文主要研究内容及工作安排 | 第12-14页 |
第二章 GaN基高效率功率放大器基本理论 | 第14-30页 |
2.1 宽禁带半导体GaN | 第14-18页 |
2.1.1 GaN特性 | 第15-16页 |
2.1.2 GaN HEMT概述 | 第16-17页 |
2.1.3 GaN HEMT建模 | 第17-18页 |
2.2 射频功放的性能指标 | 第18-21页 |
2.2.1 带宽和效率 | 第18页 |
2.2.2 双端口功率增益 | 第18-19页 |
2.2.3 稳定性 | 第19页 |
2.2.4 功率压缩和动态范围 | 第19-20页 |
2.2.5 交调失真 | 第20-21页 |
2.3 功放效率提升技术概述 | 第21-29页 |
2.3.1 减小导通角的效率提升方法 | 第21-26页 |
2.3.2 单管型的效率提升技术 | 第26-28页 |
2.3.3 系统型的效率提升技术 | 第28-29页 |
2.4 小结 | 第29-30页 |
第三章 Doherty功率放大器 | 第30-54页 |
3.1 Doherty功率放大器理论 | 第30-36页 |
3.1.1 DPA的基本结构 | 第30-31页 |
3.1.2 有源负载牵引理论 | 第31-32页 |
3.1.3 DPA工作状态及阻抗、效率分析 | 第32-36页 |
3.2 单端Doherty功放研制 | 第36-51页 |
3.2.1 晶体管偏置状态分析 | 第36-37页 |
3.2.2 源/负载牵引测试 | 第37-38页 |
3.2.3 AB类放大器设计 | 第38-41页 |
3.2.4 C类放大器设计 | 第41-43页 |
3.2.5 Wilkinson功分器设计 | 第43-45页 |
3.2.6 Doherty放大器仿真及Offset Line (OL)调节 | 第45-47页 |
3.2.7 Doherty功放加工与测试 | 第47-51页 |
3.3 双端Doherty功放仿真分析与测试 | 第51-53页 |
3.3.1 双端Doherty功放仿真分析 | 第51-52页 |
3.3.2 双端Doherty功放加工测试 | 第52-53页 |
3.4 小结 | 第53-54页 |
第四章 F类功率放大器 | 第54-65页 |
4.1 F类功率放大器原理 | 第54-60页 |
4.1.1 功放功率配置分析 | 第54-56页 |
4.1.2 理想F类功率放大器分析 | 第56-60页 |
4.2 F类功放设计 | 第60-62页 |
4.2.1 谐波控制 | 第60页 |
4.2.2 电路设计 | 第60-62页 |
4.3 F类功放加工与测试 | 第62-64页 |
4.4 小结 | 第64-65页 |
第五章 F类Doherty功率放大器 | 第65-77页 |
5.1 双端非对称F类Doherty功放概述 | 第65-67页 |
5.1.1 双端F类DPA结构 | 第65-66页 |
5.1.2 非对称DPA原理 | 第66-67页 |
5.2 F类Doherty功放设计 | 第67-73页 |
5.2.1 载波放大器 | 第67-70页 |
5.2.2 峰值放大器 | 第70页 |
5.2.3 双端F类Doherty放大器及OL调试 | 第70-72页 |
5.2.4 回退效率空间和开启点 | 第72-73页 |
5.3 双端F类DPA加工与测试 | 第73-76页 |
5.3.1 硬件加工 | 第73-74页 |
5.3.2 实物测试 | 第74-76页 |
5.4 小结 | 第76-77页 |
第六章 结论 | 第77-79页 |
6.1 课题主要成果 | 第77页 |
6.2 后续工作展望 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-83页 |
致谢 | 第83-85页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第85-86页 |