首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--放大技术、放大器论文--放大器论文--放大器:按作用分论文

氮化镓高效率Doherty功率放大器研究与设计

摘要第2-3页
abstract第3页
第一章 绪论第8-14页
    1.1 研究背景第8-10页
    1.2 研究现状第10-12页
    1.3 本文主要研究内容及工作安排第12-14页
第二章 GaN基高效率功率放大器基本理论第14-30页
    2.1 宽禁带半导体GaN第14-18页
        2.1.1 GaN特性第15-16页
        2.1.2 GaN HEMT概述第16-17页
        2.1.3 GaN HEMT建模第17-18页
    2.2 射频功放的性能指标第18-21页
        2.2.1 带宽和效率第18页
        2.2.2 双端口功率增益第18-19页
        2.2.3 稳定性第19页
        2.2.4 功率压缩和动态范围第19-20页
        2.2.5 交调失真第20-21页
    2.3 功放效率提升技术概述第21-29页
        2.3.1 减小导通角的效率提升方法第21-26页
        2.3.2 单管型的效率提升技术第26-28页
        2.3.3 系统型的效率提升技术第28-29页
    2.4 小结第29-30页
第三章 Doherty功率放大器第30-54页
    3.1 Doherty功率放大器理论第30-36页
        3.1.1 DPA的基本结构第30-31页
        3.1.2 有源负载牵引理论第31-32页
        3.1.3 DPA工作状态及阻抗、效率分析第32-36页
    3.2 单端Doherty功放研制第36-51页
        3.2.1 晶体管偏置状态分析第36-37页
        3.2.2 源/负载牵引测试第37-38页
        3.2.3 AB类放大器设计第38-41页
        3.2.4 C类放大器设计第41-43页
        3.2.5 Wilkinson功分器设计第43-45页
        3.2.6 Doherty放大器仿真及Offset Line (OL)调节第45-47页
        3.2.7 Doherty功放加工与测试第47-51页
    3.3 双端Doherty功放仿真分析与测试第51-53页
        3.3.1 双端Doherty功放仿真分析第51-52页
        3.3.2 双端Doherty功放加工测试第52-53页
    3.4 小结第53-54页
第四章 F类功率放大器第54-65页
    4.1 F类功率放大器原理第54-60页
        4.1.1 功放功率配置分析第54-56页
        4.1.2 理想F类功率放大器分析第56-60页
    4.2 F类功放设计第60-62页
        4.2.1 谐波控制第60页
        4.2.2 电路设计第60-62页
    4.3 F类功放加工与测试第62-64页
    4.4 小结第64-65页
第五章 F类Doherty功率放大器第65-77页
    5.1 双端非对称F类Doherty功放概述第65-67页
        5.1.1 双端F类DPA结构第65-66页
        5.1.2 非对称DPA原理第66-67页
    5.2 F类Doherty功放设计第67-73页
        5.2.1 载波放大器第67-70页
        5.2.2 峰值放大器第70页
        5.2.3 双端F类Doherty放大器及OL调试第70-72页
        5.2.4 回退效率空间和开启点第72-73页
    5.3 双端F类DPA加工与测试第73-76页
        5.3.1 硬件加工第73-74页
        5.3.2 实物测试第74-76页
    5.4 小结第76-77页
第六章 结论第77-79页
    6.1 课题主要成果第77页
    6.2 后续工作展望第77-79页
参考文献第79-83页
致谢第83-85页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第85-86页

论文共86页,点击 下载论文
上一篇:XH职业技术学院竞争战略研究
下一篇:基于平面肖特基二极管的220GHz分谐波混频器设计