首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按结构和性能分论文

大功率LED散热封装用铝基氮化铝薄膜基板研究

致谢第1-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-9页
目录第9-12页
图录第12-14页
表录第14-15页
第一章 绪论第15-23页
   ·引言-LED广阔前景第15页
   ·散热性能是LED大功率化瓶颈第15-18页
   ·LED封装基板的发展历程及现状第18-21页
     ·主要的LED散热基板第18-19页
     ·目前常用基板——金属基基板第19-20页
     ·绝缘导热层材料的重要意义第20-21页
   ·本课题目标、任务以及论文结构安排第21-23页
     ·课题目标及任务第21页
     ·论文结构安排第21-23页
第二章 大功率LED的散热模型仿真第23-34页
   ·大功率LED散热模型第23-26页
     ·热阻和导热系数第23-25页
     ·LED等效热阻模型第25-26页
   ·ANSYS软件仿真及结果分析第26-33页
     ·仿真准备:仿真目标及仿真模型的确定第26-27页
     ·不同绝缘层情况下LED散热性能分析第27-31页
     ·不同氮化铝膜厚情况下LED散热性能分析第31-33页
   ·本章小结第33-34页
第三章 氮化铝绝缘导热层第34-46页
   ·氮化铝材料性能简介第34-35页
   ·氮化铝薄膜产业化的前期探索第35-38页
     ·等离子喷涂法第35-36页
     ·铝膏与氨气的低温共烧法第36-38页
   ·磁控反应溅射制备氮化铝薄膜的实验目标及工艺流程第38-45页
     ·磁控反应溅射法、制备氮化铝薄膜原理第39-42页
     ·实验目标第42-43页
     ·工艺流程第43-45页
   ·本章小结第45-46页
第四章 氮化铝薄膜的制备及工艺研究第46-56页
   ·靶材、基片材料对溅射功率选择的影响第46-49页
     ·纯Al靶对溅射功率的影响第46-47页
     ·纯铝基板对溅射功率的影响第47-48页
     ·本系统最佳溅射功率以及对产业化的建议第48-49页
   ·溅射气压对沉积速率的影响第49-50页
     ·膜厚测量工艺第49-50页
     ·溅射气压对沉积速率的影响第50页
   ·氮分压对沉积速率的影响第50-52页
   ·理想溅射工艺参数及氮化铝膜层结构分析第52-55页
     ·SEM断面图分析第52-54页
     ·XRD晶体结构分析第54页
     ·AlN薄膜结构总结第54-55页
   ·本章小结第55-56页
第五章 导电层的设计与制备第56-67页
   ·导电层的设计第56-59页
     ·导电层的性能要求第56-58页
     ·导电层结构模型第58-59页
   ·导电层制备过程第59-62页
     ·磁控溅射设备第59-61页
     ·工艺流程第61-62页
   ·导电层的电路制备第62-64页
     ·电路制备工艺-正、负性油墨法第62-64页
     ·氮化铝薄膜的高化学稳定性第64页
   ·连续生产设备的设计及生产工艺的选择第64-66页
   ·本章小结第66-67页
第六章 散热基板的性能测试与表征第67-75页
   ·基板散热性能的测量与分析第67-68页
     ·测试方法简述第67-68页
     ·测试结果及分析第68页
   ·绝缘强度的测量与分析第68-71页
     ·因素1—铝基板应力影响第69页
     ·因素2—铝基板表面平整度影响第69-70页
     ·因素3—膜层飞点影响第70-71页
   ·附着力的测量与分析第71-74页
     ·抗拉强度测量的工艺流程第72-73页
     ·抗拉强度实验结果第73-74页
   ·本章小结第74-75页
第七章 总结和展望第75-78页
   ·本文研究内容总结第75-76页
   ·本课题主要创新点第76页
   ·本文不足之处以及未来工作第76-78页
参考文献第78-82页
作者简历及在校期间所取得的科研成果第82页

论文共82页,点击 下载论文
上一篇:Flash存储器中高效率位线驱动器的研究与设计
下一篇:认知无线电网络中移动场景下主用户仿真攻击及其防御策略研究