| 第1章、 引言 | 第1-17页 |
| 1．1、 论文研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1．2、 低Z涂层材料的国内外研究现状和存在的问题 | 第11-12页 |
| 1．2．1、 低Z涂层材料的研究现状 | 第11页 |
| 1．2．2、 低Z材料存在的问题 | 第11-12页 |
| 1．3、 高Z涂层材料的研究现状和存在的问题 | 第12-14页 |
| 1．3．1、 高Z涂层材料的研究现状 | 第12-13页 |
| 1．3．2、 高Z材料存在的问题 | 第13-14页 |
| 1．4、 本论文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第2章、 涂层制备的荷能束技术原理及简介 | 第17-31页 |
| 2．1、 磁控溅射 | 第17-18页 |
| 2．2、 双束技术 | 第18-19页 |
| 2．3、 离子束混合 | 第19-20页 |
| 2．4、 电子束 | 第20-22页 |
| 2．5、 离子注入 | 第22-27页 |
| 2．6、 三束沉积技术的原理、特点及其应用 | 第27-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第3章、 涂层表征技术简介 | 第31-44页 |
| 3．1、 成份及深度分析技术 | 第32-39页 |
| 3．1．1、 电子探针X射线微区分析（EPMA） | 第32页 |
| 3．1．2、 俄歇电子能谱分析（AES） | 第32-35页 |
| 3．1．3、 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第35-37页 |
| 3．1．4、 二次离子质谱分析（SIMS） | 第37-39页 |
| 3．2、 微结构分析技术 | 第39-42页 |
| 3．2．1、 红外吸收和喇曼光谱分析（IR、Raman） | 第39-40页 |
| 3．2．2、 X射线衍射相结构分析（XRD） | 第40-41页 |
| 3．2．3、 透射电子显微镜（TEM） | 第41-42页 |
| 3．3、 形貌观察技术 | 第42-43页 |
| 3．3．1、 扫描电镜（SEM） | 第42-43页 |
| 3．3．2、 原子力显微镜分析（AFM） | 第43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第4章、 C-SiC涂层的制备及性能研究 | 第44-94页 |
| 4．1、 C和SiC的晶体结构、物理化学性质及制备技术 | 第44-50页 |
| 4．1．1、 C的晶体结构、物理化学性质 | 第44-47页 |
| 4．1．2、 SiC的晶体结构、物理化学性质及制备技术 | 第47-50页 |
| 4．2、 C-SiC涂层的制备及表征 | 第50-56页 |
| 4．2．1、 C-SiC涂层的制备 | 第50-52页 |
| 4．2．2、 C-SiC涂层的表征 | 第52-56页 |
| 4．3、 氢在SiC涂层中的行为研究 | 第56-66页 |
| 4．3．1、 离子束混合沉积的SiC涂层 | 第56-62页 |
| 4．3．2、 电子束处理后的SiC涂层 | 第62-66页 |
| 4．4、 氢在C-20％SiC涂层中的行为研究 | 第66-69页 |
| 4．5、 氢在C-70％SiC涂层中的行为研究 | 第69-77页 |
| 4．5．1、 高压渗透的氢在C-70％SiC涂层中的行为研究 | 第69-74页 |
| 4．5．2、 注入的氢在C-70％SiC涂层中的行为研究 | 第74-77页 |
| 4．6、 C-SiC涂层抗氢辐照的机理研究 | 第77-83页 |
| 4．7、 C-SiC涂层改性的研究 | 第83-90页 |
| 4．8、 本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 第5章、 高Z的W涂层的制备及性能研究 | 第94-138页 |
| 5．1、 W和Mo的结构、物理化学性质及制备技术 | 第94-96页 |
| 5．2、 W涂层的制备及氢在W涂层中的行为研究 | 第96-109页 |
| 5．2．1、 实验方法 | 第96-97页 |
| 5．2．2、 H~+辐照前后W涂层的SEM和XRD分析 | 第97-102页 |
| 5．2．3、 H~+辐照前后W涂层的Raman光谱分析 | 第102-104页 |
| 5．2．4、 H~+辐照前后W涂层表面的XPS分析 | 第104-108页 |
| 5．2．5、 H~+辐照前后W涂层的红外光谱分析 | 第108-109页 |
| 5．3、 W涂层试样的抗H~+辐照性能 | 第109-112页 |
| 5．4、 W涂层试样的示波冲击韧性研究 | 第112-135页 |
| 5．4．1、 示波冲击试验原理 | 第112-115页 |
| 5．4．2、 实验方法 | 第115-117页 |
| 5．4．3、 结果与分析 | 第117-131页 |
| 5．4．4、 断口形貌分析 | 第131-135页 |
| 5．4．5、 小结 | 第135页 |
| 5．5、 本章小结 | 第135-136页 |
| 参考文献 | 第136-138页 |
| 第6章、 总结 | 第138-141页 |
| 6．1、 本论文的主要结论 | 第138-139页 |
| 6．2、 本论文的主要创新点 | 第139-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 附录： 攻读博士学位期间论文发表情况 | 第142-143页 |
