| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·表面结构 | 第10-13页 |
| ·表面与固体的不同 | 第10页 |
| ·二维格子和倒格子 | 第10-11页 |
| ·表面结构命名法 | 第11-12页 |
| ·表面的结构特点 | 第12-13页 |
| ·半导体表面外延生长纳米结构 | 第13-17页 |
| ·外延生长制备纳米材料 | 第13-14页 |
| ·Si基纳米材料 | 第14-16页 |
| ·半导体表面态 | 第16-17页 |
| ·金属表面的氧化 | 第17-20页 |
| ·金属表面氧化的一般过程 | 第17-18页 |
| ·金属表面分子的吸附 | 第18-19页 |
| ·金属表面缺陷对分子吸附的影响 | 第19-20页 |
| ·金属薄膜的量子尺寸效应 | 第20-23页 |
| ·量子尺寸效应的来由 | 第20-22页 |
| ·量子尺寸效应对于薄膜物理性质的影响 | 第22-23页 |
| ·量子尺寸效应对于薄膜化学性质的影响 | 第23页 |
| ·本文内容和安排 | 第23-25页 |
| 第2章 第一原理计算方法 | 第25-36页 |
| ·引言 | 第25-27页 |
| ·量子力学基础 | 第27-30页 |
| ·绝热近似 | 第27-28页 |
| ·密度泛函理论 | 第28-30页 |
| ·赝势方法 | 第30-32页 |
| ·平面波方法 | 第32-33页 |
| ·交换关联泛函 | 第33-34页 |
| ·使用的方法 | 第34-36页 |
| 第3章 Si(001)表面的异质外延：1/2吸附率的表面活性剂的作用 | 第36-49页 |
| ·引言 | 第36-39页 |
| ·计算方法以及模型 | 第39-40页 |
| ·V族元素在Si表面低吸附率情况下的吸附结构 | 第40-43页 |
| ·继续生长Ge的纳米结构 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 Pb(111)薄膜的量子尺寸效应以及上面O_2分子的吸附行为 | 第49-67页 |
| ·引言 | 第49-52页 |
| ·模型以及计算方法 | 第52-53页 |
| ·氧分子在Pb(111)表面的吸附行为 | 第53-61页 |
| ·量子尺寸效应对氧分子的吸附的影响 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 对Pb(111)表面的氧化过程的一些研究 | 第67-89页 |
| ·引言 | 第67-71页 |
| ·模型以及计算方法 | 第71-72页 |
| ·Pb单原子对氧吸附的影响 | 第72-79页 |
| ·氧分子在Pb(111)表面一个Pb单原子附近的吸附行为 | 第72-76页 |
| ·在Pb(111)表面吸附的氧分子与一个Pb单原子的相互作用 | 第76-79页 |
| ·吸附能和电子结构的探讨 | 第79-85页 |
| ·Pb(111)表面形成的稳定的Pb的氧化物团簇 | 第85-88页 |
| ·结论 | 第88-89页 |
| 第6章 结论 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第101页 |
