| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 第一章 硅基发光材料的研究进展 | 第11-18页 |
| ·多孔硅的发光 | 第11-12页 |
| ·掺铒硅 | 第12-13页 |
| ·纳米硅发光材料与器件 | 第13-15页 |
| ·超晶格与量子阱 | 第15-16页 |
| ·Si/Ge超晶格和Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱 | 第15页 |
| ·Si/SiO_2超晶格 | 第15-16页 |
| ·碳化硅发光材料 | 第16-17页 |
| 本论文的思路及主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜样品的制备与表征 | 第18-20页 |
| ·样品的制备 | 第18-19页 |
| ·基片与基片清洗 | 第18页 |
| ·薄膜的制备 | 第18页 |
| ·离子注入C~+ | 第18-19页 |
| ·样品的表征 | 第19-20页 |
| ·光致发光光谱的测量 | 第19页 |
| ·傅里叶变换红外吸收光谱 | 第19-20页 |
| 第三章 低注入剂量下 C~+对超晶格中nc-Si发光的钝化作用 | 第20-30页 |
| ·实验 | 第20-21页 |
| ·结果与分析 | 第21-30页 |
| ·SiO/SiO_2超晶格与nc-Si/SiO_2超晶格的FTIR光谱 | 第21-22页 |
| ·nc-Si/SiO_2超晶格的光致发光 | 第22页 |
| ·C~+离子对超晶格中nc-Si发光的钝化作用 | 第22-30页 |
| 第四章 高注入剂量下超晶格中nc-Si与SiC的发光 | 第30-39页 |
| ·实验 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-39页 |
| ·红外吸收(FTIR)光谱 | 第31-35页 |
| ·光致发光(PL)光谱 | 第35-39页 |
| 结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 作者简历 | 第42-44页 |
| 学位论文数据集 | 第44页 |
