| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·课题背景 | 第10-11页 |
| ·CMOS工艺技术 | 第11-12页 |
| ·模拟集成电路设计流程 | 第12-16页 |
| ·系统要求与电路设计 | 第13页 |
| ·电路仿真 | 第13-14页 |
| ·版图设计 | 第14-15页 |
| ·DRC和 LVS | 第15-16页 |
| ·国内外研究情况 | 第16页 |
| ·文章结构 | 第16-17页 |
| 第二章 MEMS电场传感器及其数学模型 | 第17-32页 |
| ·MEMS技术 | 第17页 |
| ·MEMS电场传感器简介 | 第17-24页 |
| ·垂直振动式电场传感器 | 第18-19页 |
| ·平行振动式微型电场传感器 | 第19-21页 |
| ·交错振动式微型电场传感器 | 第21-24页 |
| ·静电激振的平行振动式 MEMS微型电场传感器的数学模型和等效电路 | 第24-31页 |
| ·加单端激励信号ν+ν_0 cosωt | 第24-30页 |
| ·加双端激励信号ν+ν_0 cosωt ν-ν_0 cosωt | 第30-31页 |
| ·模型的启发 | 第31-32页 |
| 第三章 跨阻放大器设计 | 第32-46页 |
| ·微弱电流检测原理 | 第32-33页 |
| ·电流检测常用方法 | 第33-36页 |
| ·分立元件电路检测 | 第33-35页 |
| ·CMOS集成检测方法 | 第35-36页 |
| ·适用于交流电流信号的检测方法—集成跨阻放大器 | 第36-46页 |
| ·工作在线性区的长沟道晶体管作为反馈电阻 | 第36-42页 |
| ·利用晶体管自身的输出阻抗实现电流电压转换 | 第42-46页 |
| 第四章 峰值提取电路设计 | 第46-63页 |
| ·峰值提取电路的整体结构图与仿真结果 | 第46-50页 |
| ·常用峰值提取电路 | 第46-47页 |
| ·直接数字化的峰值检测方法 | 第47-50页 |
| ·峰值提取电路各个模块的具体实现方法 | 第50-57页 |
| ·积分器 | 第50-51页 |
| ·低通滤波器 | 第51-52页 |
| ·运算放大器 | 第52-54页 |
| ·比较器 | 第54-55页 |
| ·数字逻辑 | 第55-56页 |
| ·恒流源 | 第56-57页 |
| ·版图设计 | 第57-63页 |
| ·数字部分版图的设计 | 第58-59页 |
| ·模拟部分版图的设计 | 第59-60页 |
| ·版图设计的其他考虑 | 第60-62页 |
| ·系统版图 | 第62-63页 |
| 第五章 芯片流片与测试 | 第63-71页 |
| ·芯片及测试平台照片 | 第63-65页 |
| ·测试结果 | 第65-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-74页 |
| ·论文的主要工作 | 第71-72页 |
| ·创新点 | 第72页 |
| ·对今后工作的展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 发表论文及申请专利 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |