| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 插图索引 | 第10-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-21页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·CMOS图像传感器的研究进展 | 第14-16页 |
| ·国外发展 | 第14-15页 |
| ·国内发展 | 第15-16页 |
| ·CMOS图像传感器的应用 | 第16-18页 |
| ·在工业中应用 | 第17页 |
| ·在交通工程中的应用 | 第17-18页 |
| ·在数码影像中的应用 | 第18页 |
| ·在医学中的应用 | 第18页 |
| ·本文的研究意义和主要内容 | 第18-21页 |
| ·研究意义 | 第18-19页 |
| ·研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 CMOS光电二极管及相关像素单元的简介 | 第21-31页 |
| ·成像系统简介 | 第21页 |
| ·CMOS图像传感器的工作原理 | 第21-22页 |
| ·与CMOS光电二极管相关的像素结构 | 第22-29页 |
| ·无源像素传感器(PPS) | 第23页 |
| ·有源像素传感器(APS) | 第23-26页 |
| ·数字像素传感器(DPS) | 第26-27页 |
| ·互补有源像素单元 | 第27-29页 |
| ·电压-频率型像素单元 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 CMOS光电二极管量子效率的研究 | 第31-48页 |
| ·硅材料的光吸收 | 第31-32页 |
| ·光电流和量子效率的定义 | 第32-33页 |
| ·光电流的计算 | 第33-35页 |
| ·量子效率的模拟 | 第35-41页 |
| ·N+/P-epi结构光电二极管量子效率 | 第35-37页 |
| ·N-well/P-epi结构光电二极管量子效率 | 第37-39页 |
| ·N+/P-well和P+/N-well型光电二极管量子效率 | 第39页 |
| ·光栅二极管量子效率 | 第39-41页 |
| ·暗电流 | 第41-45页 |
| ·光积分非线性 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第4章 像素单元电路和读出电路 | 第48-64页 |
| ·三管 APS的模拟 | 第48-51页 |
| ·四管 APS的模拟 | 第51-53页 |
| ·读出电路介绍 | 第53-55页 |
| ·采样保持电路 | 第55-60页 |
| ·采样保持电路的工作原理 | 第55-56页 |
| ·输入电压相关的关断瞬间 | 第56-57页 |
| ·电荷注入效应 | 第57-58页 |
| ·开关导通电阻的非线性 | 第58-60页 |
| ·恒定Vgs采样电路 | 第60-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第5章 差动放大器 | 第64-77页 |
| ·差动放大器的性能指标 | 第64-65页 |
| ·开环增益 | 第64页 |
| ·开环带宽 | 第64页 |
| ·输出摆幅 | 第64页 |
| ·转换速率 | 第64页 |
| ·建立时间 | 第64-65页 |
| ·相位裕度 | 第65页 |
| ·典型运放结构对比 | 第65-68页 |
| ·折叠共源共栅放大器 | 第65-67页 |
| ·套筒式运算放大电路 | 第67-68页 |
| ·适合于 CMOS光电二极管读出电路的差动放大器设计 | 第68-76页 |
| ·设计指标 | 第68页 |
| ·参数设计 | 第68-71页 |
| ·MOS管宽长比参数 | 第71-73页 |
| ·模拟结果 | 第73-76页 |
| ·小结 | 第76-77页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第83页 |