| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-26页 |
| ·多孔硅的历史 | 第8-9页 |
| ·多孔硅制备方法 | 第9-14页 |
| ·阳极腐蚀法(Anodic Etching) | 第9-11页 |
| ·锈蚀(stain etching) | 第11-12页 |
| ·火花放电法(Spark Discharge) | 第12页 |
| ·水热腐蚀法(Hydro-Thermal Etching) | 第12-13页 |
| ·光化学腐蚀法(Photochemical etehing) | 第13页 |
| ·脉冲腐蚀法(Impulse Etching) | 第13-14页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第14-17页 |
| ·Beale耗尽模型 | 第14页 |
| ·限制扩散模型 | 第14-15页 |
| ·量子限制模型 | 第15页 |
| ·多孔硅形成时的化学反应 | 第15-17页 |
| ·多孔硅的发光机理 | 第17-21页 |
| ·量子限制模型 | 第18页 |
| ·氢化非晶硅模型 | 第18-19页 |
| ·表面氢化物模型 | 第19页 |
| ·缺陷模型 | 第19页 |
| ·硅氧烯模型 | 第19页 |
| ·表面态模型 | 第19-20页 |
| ·量子限制-发光中心模型 | 第20-21页 |
| ·多孔硅性能(properties of PS) | 第21-24页 |
| ·多孔硅阳极氧化条件的影响 | 第21页 |
| ·多孔硅的微结构 | 第21-22页 |
| ·孔径(pore diameter) | 第22页 |
| ·孔隙率 | 第22-23页 |
| ·多孔层深度 | 第23页 |
| ·化学成分 | 第23-24页 |
| ·多孔硅的发光 | 第24-25页 |
| ·本课题研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 多孔硅的测试原理与制备条件 | 第26-37页 |
| ·测试仪器及测试原理 | 第26-30页 |
| ·荧光分光光度计 | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜(Atomic Force Microscopy，AFM) | 第27-29页 |
| ·磨角法测多孔硅厚度 | 第29-30页 |
| ·硅片的清洗 | 第30页 |
| ·多孔硅的制备 | 第30-31页 |
| ·制备参数对多孔硅形成的影响 | 第31-34页 |
| ·电解液对多孔硅形成的影响 | 第31-32页 |
| ·电流密度对多孔硅形成的影响 | 第32-33页 |
| ·腐蚀时间对多孔硅形成的影响 | 第33页 |
| ·衬底对对多孔硅形成的影响 | 第33-34页 |
| ·后处理方法 | 第34-37页 |
| ·氧化处理 | 第34-35页 |
| ·钝化处理 | 第35页 |
| ·超临界干燥处理 | 第35-36页 |
| ·本论文采用的后处理方法 | 第36-37页 |
| 第三章 多孔硅后处理发光性能的研究 | 第37-59页 |
| ·制备条件对多孔硅发光的影响 | 第37-41页 |
| ·光致发光性能(PL) | 第37-38页 |
| ·表面形貌表征(AFM) | 第38-39页 |
| ·实验结果讨论 | 第39-41页 |
| ·多孔硅后处理发光的研究 | 第41-47页 |
| ·阴极还原处理多孔硅的发光特性和表面形貌 | 第41-44页 |
| ·酸处理多孔硅的发光特性和表面形貌 | 第44-47页 |
| ·多孔硅发光稳定性的研究 | 第47-57页 |
| ·光激发对多孔硅PL谱的影响 | 第47-48页 |
| ·PS表面不同位置的发光峰对比 | 第48-50页 |
| ·在自然存放条件下发光的影响 | 第50-53页 |
| ·不同激发波长对 PL谱的影响 | 第53-57页 |
| ·发光机制的讨论 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第四章 结论与展望 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| ·研究工作的展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第69页 |
