| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 前言 | 第6-10页 |
| ·引言 | 第6-8页 |
| ·BCl_3/H_2 外延生长P 型硅的研究现状 | 第8-9页 |
| ·本论文工作 | 第9-10页 |
| 第二章 理论基础 | 第10-23页 |
| ·分子轨道理论 | 第10-14页 |
| ·闭壳层组态的Hartree-Fock-Roothaan(HFR)方程 | 第10-12页 |
| ·开壳层组态的HFR 方程 | 第12-14页 |
| ·密度泛函理论 | 第14-16页 |
| ·振动频率的计算 | 第16-17页 |
| ·谐振频率的计算 | 第16-17页 |
| ·零点振动能 | 第17页 |
| ·化学反应过渡态的计算方法 | 第17-20页 |
| ·化学反应过渡态的数学模型 | 第18-19页 |
| ·过渡态的计算方法 | 第19-20页 |
| ·基组的选择 | 第20-23页 |
| 第三章 BCl_3/H_2气相反应机理的理论研究 | 第23-36页 |
| ·计算方法 | 第23-24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-35页 |
| ·BCl_3/H_2 气相初始反应微观反应机理分析 | 第24-27页 |
| ·BHCl_2 和H_2 气相反应微观反应机理分析 | 第27-31页 |
| ·BH_2Cl 和H_2 气相反应微观反应机理分析 | 第31-35页 |
| ·结论 | 第35-36页 |
| 第四章 BCl_3/H_2在硅衬底表面上反应机理的理论研究 | 第36-62页 |
| ·计算方法 | 第36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-61页 |
| ·Si_2 原子簇模型 | 第36-43页 |
| ·Si_3 原子簇模型 | 第43-52页 |
| ·Si_4 原子簇模型 | 第52-61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 第五章 总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
