摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-13页 |
第一章 绪论 | 第13-27页 |
·SOI技术概述 | 第13-17页 |
·SOI横向高压器件耐压技术的现状与发展 | 第17-22页 |
·纵向耐压技术 | 第17-19页 |
·横向耐压技术 | 第19-22页 |
·SOI横向器件电场分布和耐压解析模型的研究现状 | 第22-24页 |
·本文主要工作和创新 | 第24-27页 |
第二章 低K型介质埋层SOI高压器件 | 第27-69页 |
·ENDIF理论 | 第27-37页 |
·ENDIF理论 | 第27-35页 |
·ENDIF理论统一几类典型SOI横向高压器件的纵向耐压机理 | 第35-37页 |
·低K介质埋层SOI高压器件 | 第37-41页 |
·低k介质材料特性及其研究现状 | 第37-38页 |
·低k介质埋层SOI高压器件 | 第38-41页 |
·变K介质埋层SOI高压器件 | 第41-49页 |
·高耐压变k介质埋层SOI高压器件 | 第41-45页 |
·高散热变k介质埋层SOI高压器件 | 第45-49页 |
·变K介质埋层SOI器件耐压解析模型 | 第49-56页 |
·变K介质埋层SOI材料的制备 | 第56-59页 |
·低K介质埋层PSOI高压器件 | 第59-67页 |
·器件结构及耐压机理 | 第59-62页 |
·击穿电压与器件结构参数的关系 | 第62-65页 |
·低k介质埋层PSOI的热特性 | 第65-67页 |
·小结 | 第67-69页 |
第三章 电荷型介质场增强SOI高压器件 | 第69-111页 |
·常规SOILDMOS埋氧层界面的电荷 | 第69-74页 |
·电荷槽SOI高压器件耐压机理 | 第74-79页 |
·电荷槽SOI高压器件纵向耐压机理 | 第74-78页 |
·电荷槽SOI高压器件横向耐压机理 | 第78-79页 |
·单面电荷槽SOI器件击穿电压与结构参数的关系 | 第79-82页 |
·双面电荷槽SOI高压器件耐压特性 | 第82-85页 |
·器件结构 | 第82-83页 |
·耐压特性 | 第83-85页 |
·电荷槽SOI材料和器件的实验研制 | 第85-94页 |
·基于SDB技术的600V级的双面槽SOI器件研制 | 第85-91页 |
·基于SDB技术的600V级的双面槽SOI材料的研制 | 第85-89页 |
·全错位双面电荷槽SOI高压器件研制结果与分析 | 第89-91页 |
·基于SIMOX技术的ST SOI器件 | 第91-94页 |
·部分电荷槽PSOI高压器件结构 | 第94-99页 |
·器件结构和耐压机理 | 第94-95页 |
·击穿电压与器件结构参数的关系 | 第95-99页 |
·复合埋层SOI高压器件 | 第99-105页 |
·器件结构和耐压机理 | 第99-102页 |
·击穿电压与器件结构参数的关系 | 第102-105页 |
·击穿电压与ΔL_(I1)和L_W的关系 | 第102-104页 |
·击穿电压与t_(I1)和t_(I2)的关系 | 第104页 |
·多晶硅掺杂对击穿电压的影响 | 第104-105页 |
·复合埋层SOI材料研制 | 第105-110页 |
·实验方案 | 第105-107页 |
·实验结果 | 第107-110页 |
·小结 | 第110-111页 |
第四章 新型薄硅层SOI高压器件 | 第111-131页 |
·薄硅层SOI高压器件—SOI高压技术发展的重要方向 | 第111-112页 |
·薄硅层线性掺杂SOI高压器件 | 第112-114页 |
·薄硅层线性掺杂SOI高压器件的耐压特性 | 第112-113页 |
·薄硅层线性掺杂SOI高压器件的热特性 | 第113-114页 |
·薄硅层阶梯漂移区SOI高压器件 | 第114-116页 |
·薄硅层阶梯漂移区SOI LDMOS的耐压解析模型 | 第116-128页 |
·二维耐压解析模型 | 第116-121页 |
·一维电场和电势分布解析模型 | 第121-128页 |
·薄硅层阶梯漂移区SOI材料制备 | 第128-130页 |
·小结 | 第130-131页 |
第五章 结论 | 第131-134页 |
·结论 | 第131-133页 |
·下一步工作 | 第133-134页 |
致谢 | 第134-135页 |
参考文献 | 第135-146页 |
攻博期间取得的研究成果 | 第146-148页 |