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基于介质电场增强理论的SOI横向高压器件与耐压模型

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
第一章 绪论第13-27页
   ·SOI技术概述第13-17页
   ·SOI横向高压器件耐压技术的现状与发展第17-22页
     ·纵向耐压技术第17-19页
     ·横向耐压技术第19-22页
   ·SOI横向器件电场分布和耐压解析模型的研究现状第22-24页
   ·本文主要工作和创新第24-27页
第二章 低K型介质埋层SOI高压器件第27-69页
   ·ENDIF理论第27-37页
     ·ENDIF理论第27-35页
     ·ENDIF理论统一几类典型SOI横向高压器件的纵向耐压机理第35-37页
   ·低K介质埋层SOI高压器件第37-41页
     ·低k介质材料特性及其研究现状第37-38页
     ·低k介质埋层SOI高压器件第38-41页
   ·变K介质埋层SOI高压器件第41-49页
     ·高耐压变k介质埋层SOI高压器件第41-45页
     ·高散热变k介质埋层SOI高压器件第45-49页
   ·变K介质埋层SOI器件耐压解析模型第49-56页
   ·变K介质埋层SOI材料的制备第56-59页
   ·低K介质埋层PSOI高压器件第59-67页
     ·器件结构及耐压机理第59-62页
     ·击穿电压与器件结构参数的关系第62-65页
     ·低k介质埋层PSOI的热特性第65-67页
   ·小结第67-69页
第三章 电荷型介质场增强SOI高压器件第69-111页
   ·常规SOILDMOS埋氧层界面的电荷第69-74页
   ·电荷槽SOI高压器件耐压机理第74-79页
     ·电荷槽SOI高压器件纵向耐压机理第74-78页
     ·电荷槽SOI高压器件横向耐压机理第78-79页
   ·单面电荷槽SOI器件击穿电压与结构参数的关系第79-82页
   ·双面电荷槽SOI高压器件耐压特性第82-85页
     ·器件结构第82-83页
     ·耐压特性第83-85页
   ·电荷槽SOI材料和器件的实验研制第85-94页
     ·基于SDB技术的600V级的双面槽SOI器件研制第85-91页
       ·基于SDB技术的600V级的双面槽SOI材料的研制第85-89页
       ·全错位双面电荷槽SOI高压器件研制结果与分析第89-91页
     ·基于SIMOX技术的ST SOI器件第91-94页
   ·部分电荷槽PSOI高压器件结构第94-99页
     ·器件结构和耐压机理第94-95页
     ·击穿电压与器件结构参数的关系第95-99页
   ·复合埋层SOI高压器件第99-105页
     ·器件结构和耐压机理第99-102页
     ·击穿电压与器件结构参数的关系第102-105页
       ·击穿电压与ΔL_(I1)和L_W的关系第102-104页
       ·击穿电压与t_(I1)和t_(I2)的关系第104页
       ·多晶硅掺杂对击穿电压的影响第104-105页
   ·复合埋层SOI材料研制第105-110页
     ·实验方案第105-107页
     ·实验结果第107-110页
   ·小结第110-111页
第四章 新型薄硅层SOI高压器件第111-131页
   ·薄硅层SOI高压器件—SOI高压技术发展的重要方向第111-112页
   ·薄硅层线性掺杂SOI高压器件第112-114页
     ·薄硅层线性掺杂SOI高压器件的耐压特性第112-113页
     ·薄硅层线性掺杂SOI高压器件的热特性第113-114页
   ·薄硅层阶梯漂移区SOI高压器件第114-116页
   ·薄硅层阶梯漂移区SOI LDMOS的耐压解析模型第116-128页
     ·二维耐压解析模型第116-121页
     ·一维电场和电势分布解析模型第121-128页
   ·薄硅层阶梯漂移区SOI材料制备第128-130页
   ·小结第130-131页
第五章 结论第131-134页
   ·结论第131-133页
   ·下一步工作第133-134页
致谢第134-135页
参考文献第135-146页
攻博期间取得的研究成果第146-148页

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