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中子俘获截面的实验测量和蒙特卡罗修正

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-10页
第一章 引言第10-16页
   ·截面定义及测量中子俘获截面的意义第10页
   ·~(75)As(N.Γ)~(76)As,~(98)Mo(N,Γ)~(98)Mo,~(59)Co(N.Γ)~(60)Co,~(151)EU(N,Γ)~(152M,B)EU,~(153)EU(N.Γ)~(154)EU反应截面的重要性及现有数据情况第10-15页
   ·对多次散射及自屏蔽效应的修正及其他影响因素的模拟计算的意义第15页
   ·采用蒙特卡罗方法解决上述问题的可行性第15-16页
   ·本论文的结构安排及各章主要内容第16页
第二章 实验第16-29页
   ·实验方案的选择第16-19页
   ·样品上机实验第19-29页
     ·实验装置第19-21页
     ·加速器简介第21-22页
       ·2.5MeV静电加速器简介第22页
       ·4.5MoV静电加速器简介第22页
     ·靶头材料制备第22-23页
     ·样品制备第23-24页
     ·辐照条件第24页
       ·中子通量监测第24-25页
       ·长计数器工作原理第24-25页
       ·用长计数器对中子通量进行监测第25页
       ·特征γ射线的测量第25-29页
       ·Ge(Li)探测器系统组成第26页
       ·Ge(Li)探测器的工作原理第26-27页
       ·Ge(Li)能量刻度及效率刻度第27-28页
       ·γ射线测量第28-29页
     ·实验步骤第29页
第三章 数据处理第29-35页
   ·数据计算式第29-31页
   ·~(75)As(N,Γ)~(76)As反应截面测量结果第31-32页
     ·误差分析第32页
   ·~(98)MO(N,Γ)~(99)MO反应截面测量结果第32-33页
     ·误差分析第33页
   ·~(59)CO(N.Γ)~(50)CO反应截面测量结果第33-34页
     ·误差分析第33-34页
   ·~(151)EU(N.Γ)~(152M,a)EU,~(153)EU(N.Γ)EU反应截面测量结果第34-35页
     ·误差分析第35页
第四章 蒙特卡罗方法概述第35-46页
   ·什么是蒙特卡罗方法第35-36页
   ·蒙特卡罗的基本思想及原理第36-37页
     ·基本思想第36-37页
     ·一般原理第37页
   ·蒙特卡罗方法与计算机第37-38页
   ·蒙特卡罗解题的一般步骤第38-39页
     ·构造或描述概率过程第38页
     ·实现从已知分布抽样第38-39页
     ·建立各种估计量第39页
   ·蒙特卡罗方法的收敛性和误差估计第39-42页
     ·蒙特卡罗方法的收敛性第39-40页
     ·蒙特卡罗方法的收敛速度第40-41页
     ·蒙特卡罗方法的误差第41-42页
   ·减小方差的各种技巧第42页
   ·蒙特卡罗方法的特点第42-43页
     ·收敛速度与问题维数无关第42页
     ·受问题的条件限制的影Ⅱ向小第42-43页
     ·程序结构简单第43页
   ·蒙特卡罗方法的局限性第43页
   ·现有蒙特卡罗程序简介第43-46页
第五章 MCNP程序简介第46-54页
   ·MCNP程序概述第46-47页
   ·MCNP程序的发展第47页
   ·MCNP程序的主要功能第47-48页
   ·MCNP程序的主要特点第48-49页
   ·MCNP程序的运行环境第49页
   ·MCNP输入、输出文件简介第49-54页
     ·INP输入文件第51页
     ·输出文件第51-54页
       ·程序调试过程的记录信息第51-52页
       ·程序运行过程的记录信息第52-54页
     ·转储文件第54页
第六章 用MCNP 4C程序对实验中的中子多次散射效应及样品自屏蔽效应的修正第54-64页
   ·中子源描述第54-56页
   ·几何栅元描述第56页
   ·计数方式描述第56-57页
   ·计算方法描述第57-58页
     ·计算多次散射修正因子S第57页
     ·计算注量率衰减因子D第57-58页
   ·修正结果第58-60页
   ·计算不同冷却水层和靶管厚度对多次散射修正因子的影响第60-64页
     ·不同冷却水层对多次散射修正因子的影响第60-62页
     ·不同靶管厚度对多次散射修正因子的影响第62-64页
第七章 结果分析与比较第64-68页
第八章、本文总结及后续工作第68-70页
参考文献第70-72页
发表论文:第72页
参与项目:第72页
所获奖励:第72-74页
致谢第74页

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