| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·双包层平面波导的简介 | 第8-10页 |
| ·半导体材料直接键合技术的简介 | 第10-14页 |
| ·直接键合技术的定义 | 第10页 |
| ·键合技术的起源和历史背景 | 第10-11页 |
| ·键合技术的分类、优势和应用 | 第11-14页 |
| ·激光晶体直接键合技术的现状和难点 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要工作和创新 | 第15-17页 |
| 第二章 直接键合技术的理论模型 | 第17-30页 |
| ·固体接触理论 | 第17-19页 |
| ·表面物理基础知识简述 | 第17-18页 |
| ·固体接触的Hertz 理论 | 第18-19页 |
| ·Hertz 理论的不足 | 第19页 |
| ·对Hertz 理论的修正 | 第19-24页 |
| ·JKR(Johnson Kendall Roberts)理论 | 第19-22页 |
| ·DMT(Derjaguin Muller Toprov)理论 | 第22-23页 |
| ·修正理论的应用 | 第23-24页 |
| ·晶片直接键合的判据理论 | 第24-30页 |
| 第三章 晶片直接键合的机理和工艺 | 第30-46页 |
| ·晶片直接键合技术的工艺流程简介 | 第30-31页 |
| ·晶片直接键合的机理 | 第31-34页 |
| ·半导体材料直接键合的机理 | 第32-33页 |
| ·激光晶体直接键合的机理 | 第33-34页 |
| ·直接键合技术的关键工艺和难点 | 第34-39页 |
| ·抛光 | 第34-36页 |
| ·表面清洁 | 第36-38页 |
| ·表面活化 | 第38-39页 |
| ·预键合、高温处理和退火 | 第39页 |
| ·检测技术 | 第39-46页 |
| 第四章 激光晶体直接键合的实验研究 | 第46-58页 |
| ·YAG 与Sapphire 晶体的抛光实验 | 第46-51页 |
| ·传统抛光机的简介 | 第46-48页 |
| ·YAG 与Sapphire 的抛光和晶片检测 | 第48-51页 |
| ·YAG 晶片的表面处理 | 第51-55页 |
| ·晶片表面杂质污染的分析 | 第51-52页 |
| ·表面有机物的处理 | 第52-54页 |
| ·表面无机污染的处理 | 第54-55页 |
| ·湿法化学表面活化 | 第55页 |
| ·预键合 | 第55-56页 |
| ·实验总结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |