中文摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-9页 |
第一章 文献综述 | 第9-30页 |
·绪论 | 第9-10页 |
·TiO_2一维纳米阵列体系 | 第10-16页 |
·氧化铝模板法制备TiO_2一维纳米阵列 | 第12-16页 |
·阳极氧化法制备TiO_2半导体纳米阵列 | 第16页 |
·TiO_2光催化反应的影响因素 | 第16-18页 |
·TiO_2晶型的影响 | 第16-17页 |
·TiO_2晶粒尺寸的影响 | 第17页 |
·TiO_2表面特性的影响 | 第17-18页 |
·其他影响因素 | 第18页 |
·提高TiO_2光催化效率的途径 | 第18-23页 |
·过渡金属离子的掺杂 | 第18-20页 |
·稀土金属离子的掺杂 | 第20-21页 |
·贵金属掺杂 | 第21-22页 |
·半导体复合 | 第22-23页 |
·实现TiO_2可见光活性的方法 | 第23-26页 |
·金属离子掺杂 | 第23-24页 |
·离子注入 | 第24页 |
·半导体复合 | 第24-25页 |
·共掺杂 | 第25页 |
·其他新型窄带光催化剂的开发 | 第25-26页 |
·TiO_2光催化剂在环境保护方面的应用 | 第26-29页 |
·处理废水 | 第27-28页 |
·气态污染物的降解 | 第28页 |
·光自洁作用 | 第28-29页 |
·杀菌作用 | 第29页 |
·课题的提出和研究的主要内容 | 第29-30页 |
第二章 实验部分 | 第30-38页 |
·实验原料 | 第30-31页 |
·实验过程及方法 | 第31-35页 |
·多孔氧化铝模板(PAA)的制备 | 第31页 |
·氧化钛纳米阵列的制备 | 第31-34页 |
·TiO_2薄膜对比试样的制备 | 第34页 |
·掺杂TiO_2纳米线的制备 | 第34-35页 |
·分析方法与测试 | 第35-38页 |
·性能测试 | 第35-36页 |
·光催化性能测试 | 第36-38页 |
第三章 溶胶-模板法制备氧化钛纳米阵列及其紫外光催化性能表征 | 第38-62页 |
·多孔氧化铝模板制备工艺的优化 | 第38-40页 |
·多孔氧化铝模板的最优制备工艺及其形貌表征 | 第38-39页 |
·氧化铝晶型结构的X射线衍射分析 | 第39-40页 |
·溶胶-电泳模板法制备氧化钛纳米线 | 第40-52页 |
·溶胶-电泳沉积法的模型 | 第40-41页 |
·溶胶-电泳沉积制备氧化钛纳米线的工艺参数优化 | 第41-50页 |
·糖葫芦状氧化钛纳米线SEM分析 | 第50-51页 |
·糖葫芦状氧化钛纳米线的形成机理分析 | 第51-52页 |
·溶胶-浸渍模板法制备氧化钛纳米阵列 | 第52-55页 |
·溶胶-浸渍法的模型 | 第52-53页 |
·溶胶-浸渍沉积制备氧化钛纳米阵列的工艺参数优化 | 第53-55页 |
·溶胶-浸渍法与溶胶-电泳法制备氧化钛纳米线的光催化性对比 | 第55-56页 |
·氧化钛纳米线和纳米管与薄膜的的光催化性对比 | 第56-58页 |
·氧化钛纳米线在紫外光下老化性能的测试 | 第58-59页 |
·氧化钛光催化机理的探讨 | 第59-60页 |
·本章小结 | 第60-62页 |
第四章 金属离子掺杂氧化钛纳米线及其可见光催化性能表征 | 第62-85页 |
·过渡金属离子掺杂氧化钛纳米线 | 第62-67页 |
·Fe~(3+)掺杂 | 第63页 |
·Zn~(2+)掺杂 | 第63-64页 |
·Cr~(3+)掺杂 | 第64-65页 |
·Cu~(2+)掺杂 | 第65页 |
·过渡金属离子掺杂小结及机理初探 | 第65-67页 |
·稀土金属离子掺杂氧化钛纳米线 | 第67-71页 |
·La~(3+)掺杂 | 第68页 |
·Ce~(3+)掺杂 | 第68-69页 |
·Nd~(3+)掺杂 | 第69-70页 |
·稀土金属离子掺杂小结及机理初探 | 第70-71页 |
·M/TiO_2纳米线的SEM和XRD分析 | 第71-72页 |
·金属离子双掺杂氧化钛纳米线 | 第72-73页 |
·掺杂氧化钛纳米线与薄膜的可见光催化性能对比 | 第73-74页 |
·M/TiO_2复合薄膜的UV-vis透射-吸收光谱测试 | 第74-82页 |
·未掺杂TiO_2薄膜 | 第74-76页 |
·过渡金属离子掺杂TiO_2薄膜 | 第76-78页 |
·稀土金属离子掺杂的TiO_2薄膜 | 第78-81页 |
·金属离子双掺杂的TiO_2薄膜 | 第81-82页 |
·M/TiO_2纳米线在可见光下的老化性能 | 第82-83页 |
·本章小结 | 第83-85页 |
第五章 结论 | 第85-87页 |
参考文献 | 第87-95页 |
发表论文和科研情况说明 | 第95-97页 |
致谢 | 第97页 |