| 第一章 前言 | 第1-25页 |
| ·ZnO 薄膜的基本特性 | 第8-10页 |
| ·ZnO 薄膜的用途和研究现况 | 第10-18页 |
| 1-2-1 ZnO 薄膜的用途 | 第10-12页 |
| 1-2-2 ZnO 薄膜的研究现况 | 第12-18页 |
| ·ZnO 薄膜的生长方法 | 第18-23页 |
| 1-3-1 分子束外延(MBE) | 第18-19页 |
| 1-3-2 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第19-21页 |
| 1-3-3 脉冲激光沉积(PLD) | 第21-22页 |
| 1-3-4 溅射法 | 第22-23页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 生长 ZnO的 MOCVD反应系统和生长机制 | 第25-55页 |
| ·生长 ZnO 薄膜的 MOCVD 反应系统 | 第25-31页 |
| 2-1-1 ZnO 薄膜 MOCVD 生长用源材料 | 第25-28页 |
| 2-1-2 用于 ZnO 生长的 MOCVD 反应系统 | 第28-31页 |
| ·ZnO 薄膜 MOCVD 生长机制 | 第31-55页 |
| 2-2-1 金属有机化学气相沉积的热力学过程 | 第31-45页 |
| 2-2-2 薄膜的生长过程 | 第45-55页 |
| 第三章 在 Si 和 GaAs 衬底上生长 ZnO 及其特性 | 第55-89页 |
| ·p-Si 衬底上 ZnO 薄膜的生长和特性 | 第55-72页 |
| 3-1-1 ZnO 薄膜的 MOCVD 生长 | 第55-56页 |
| 3-1-2 DEZn 流量影响 ZnO 薄膜的生长效果 | 第56-65页 |
| 3-1-3 生长温度对 ZnO 薄膜的影响 | 第65-72页 |
| ·在 GaAs 衬底上 ZnO 薄膜的生长和特性 | 第72-86页 |
| 3-2-1 GaAs 衬底表面态 | 第72-76页 |
| 3-2-2 GaAs 衬底上ZnO 薄膜生长取向的变化 | 第76-84页 |
| 3-2-3 GaAs 衬底上生长 ZnO 薄膜的 PL 特性 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-89页 |
| 第四章 ZnO 薄膜的退火和 GaAs 衬底上生长p-ZnO 薄膜 | 第89-105页 |
| ·GaAs 衬底上生长的 ZnO 的退火 | 第89-97页 |
| 4-1-1 退火对 ZnO 薄膜晶体结构的影响 | 第89-91页 |
| 4-1-2 退火对 ZnO 薄膜光致发光特性的影响 | 第91-97页 |
| ·ZnO 薄膜中的固有缺陷和杂质对导电类型的影响 | 第97-100页 |
| 4-2-1 由固有缺陷所确定的 ZnO 薄膜的电导类型 | 第97-99页 |
| 4-2-2 ZnO 薄膜的杂质效应 | 第99-100页 |
| ·通过As 自扩散生长p-ZnO 薄膜 | 第100-103页 |
| ·本章小结 | 第103-105页 |
| 第五章 Zn O 异质结及其特性 | 第105-122页 |
| ·异质结的一般特性 | 第105-112页 |
| 5-1-1 p-Si/n-ZnO 异质结I-V 特性 | 第105-108页 |
| 5-1-2 p-Si/n-ZnO 异质结的形成和特性 | 第108-112页 |
| ·n-GaAs/p-ZnO 异质结的形成和特性 | 第112-120页 |
| 5-2-1 n-GaAs/p-ZnO 异质结的欧姆接触和电压-电流特性 | 第112-116页 |
| 5-2-2 n-GaAs/p-ZnO 异质结的电致发光 | 第116-120页 |
| ·本章小结 | 第120-122页 |
| 结论 | 第122-125页 |
| 参考文献 | 第125-139页 |
| 博士学位期间发表的论文 | 第139-142页 |
| 摘要 | 第142-147页 |
| ABSTRACT | 第147-151页 |
| 致谢 | 第151页 |
