| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·MEMS 简介 | 第9-10页 |
| ·MEMS 发展历程 | 第10-11页 |
| ·MEMS CAD 的现状 | 第11页 |
| ·MEMS CAD 简介 | 第11-12页 |
| ·课题的背景及意义 | 第12页 |
| ·课题主要工作 | 第12-13页 |
| ·本章小结 | 第13-14页 |
| 第二章 常用刻蚀技术及反应离子刻蚀模拟现状 | 第14-24页 |
| ·MEMS 工艺中的常用刻蚀技术 | 第14-18页 |
| ·湿法刻蚀 | 第14页 |
| ·等离子刻蚀 | 第14-18页 |
| ·高压等离子刻蚀 | 第14页 |
| ·离子铣 | 第14-15页 |
| ·反应离子刻蚀 | 第15-17页 |
| ·Bosch 刻蚀 | 第17-18页 |
| ·高密度等离子体（HDP）刻蚀 | 第18页 |
| ·反应离子刻蚀模拟的常用模型 | 第18-20页 |
| ·Yamamoto 在ESPRIT 软件中提出的模型 | 第18-19页 |
| ·Knizikevicius 提出的模型 | 第19-20页 |
| ·反应离子刻蚀模拟的常用算法 | 第20-23页 |
| ·常用模拟算法简介 | 第20-21页 |
| ·线算法 | 第21页 |
| ·元胞算法 | 第21-23页 |
| ·一维元胞自动机原理 | 第22-23页 |
| ·二维原胞自动机原理 | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 模型与算法改进 | 第24-44页 |
| ·反应离子刻蚀机理 | 第24-25页 |
| ·反应离子刻蚀模型及分析 | 第25-32页 |
| ·反应离子刻蚀模型 | 第25-27页 |
| ·反应离子刻蚀模型的分析 | 第27-32页 |
| ·反应离子刻蚀的Lag 效应和反向Lag 效应 | 第27-28页 |
| ·离子源高斯分布中标准偏差σ对刻蚀的影响 | 第28-29页 |
| ·温度对刻蚀的影响 | 第29-30页 |
| ·离子辅助刻蚀率的分析 | 第30-32页 |
| ·反应离子刻蚀模拟的算法 | 第32-43页 |
| ·线算法模拟反应离子刻蚀 | 第32-34页 |
| ·刻蚀窗口角度的计算 | 第34-35页 |
| ·非对称掩膜的刻蚀窗口角度计算 | 第35-38页 |
| ·线和元胞混合算法对模拟的改进 | 第38-43页 |
| ·线和元胞混合算法对刻蚀窗口角度计算的改进 | 第38-41页 |
| ·线和元胞混合算法对推进刻蚀表面的改进 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 软件的模拟能力 | 第44-51页 |
| ·软件简介 | 第44-45页 |
| ·不同条件下反应离子刻蚀的模拟 | 第45-50页 |
| ·不同离子源高斯分布标准偏差下刻蚀的模拟 | 第45-46页 |
| ·Lag 效应的模拟 | 第46页 |
| ·非对称掩膜条件下的反应离子刻蚀模拟 | 第46-47页 |
| ·不同温度下的反应离子刻蚀模拟 | 第47-48页 |
| ·不同离子能量下反应离子刻蚀的模拟 | 第48-49页 |
| ·反应离子刻蚀模拟与其他MEMS 加工工艺模拟结合 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 实验结果与模拟结果的对比及分析 | 第51-56页 |
| ·一般问题的模拟及对比分析 | 第51-52页 |
| ·反应离子刻蚀的Lag 效应实验结果与模拟结果对比及分析 | 第52页 |
| ·多道加工工艺的模拟 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结和展望 | 第56-57页 |
| ·总结 | 第56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 图表索引 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
