碳化硅电热元件的制备及性能研究
| 1 绪论 | 第1-20页 |
| ·SiC电热元件的主要性能和应用 | 第9-14页 |
| ·SiC电热元件的主要性能 | 第9-13页 |
| ·SiC电热元件的主要用途 | 第13-14页 |
| ·国内外有关碳化硅电热元件的研究 | 第14-18页 |
| ·研究的背景及意义 | 第18页 |
| ·本文研究的内容及方法 | 第18-19页 |
| ·研究的技术路线 | 第19-20页 |
| 2 实验 | 第20-33页 |
| ·实验原料 | 第20-25页 |
| ·碳化硅 | 第20页 |
| ·石墨 | 第20-21页 |
| ·石油焦 | 第21-22页 |
| ·工业硅 | 第22-23页 |
| ·结合剂 | 第23-24页 |
| ·食盐 | 第24-25页 |
| ·木屑 | 第25页 |
| ·实验设备 | 第25-27页 |
| ·工艺流程 | 第27页 |
| ·配方设计 | 第27-28页 |
| ·坯体的素烧 | 第28页 |
| ·素坯发热部的烧成 | 第28-32页 |
| ·单热源烧成 | 第29-30页 |
| ·双热源烧结 | 第30-32页 |
| ·冷端部的硅化 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 单热源烧成和双热源烧成的比较 | 第33-41页 |
| ·碳化硅电热元件烧成炉内传热方式的分析 | 第33-34页 |
| ·单热源对温度场的贡献 | 第34-36页 |
| ·双热源对温度场的贡献 | 第36-38页 |
| ·炉芯温度的测量与控制 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 实验结果分析与讨论 | 第41-63页 |
| ·性能表征及显微结构测试 | 第41-43页 |
| ·显气孔率和容重 | 第41页 |
| ·电阻率 | 第41-42页 |
| ·抗压强度 | 第42页 |
| ·弯曲度的检验 | 第42页 |
| ·物相分析 | 第42-43页 |
| ·结构表征 | 第43页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第43-50页 |
| ·制备工艺各因素分析 | 第43-46页 |
| ·素烧温度对试样的影响 | 第46-48页 |
| ·烧成温度对试样性能的影响 | 第48-50页 |
| ·制品的气孔率的分布 | 第50页 |
| ·反应料对制品性能的影响 | 第50-53页 |
| ·反应料硅过量时对制品性能的影响 | 第51页 |
| ·反应料碳过量时对制品性能的影响 | 第51-52页 |
| ·炉内的反应机理 | 第52-53页 |
| ·制品的物相分析与结构表征 | 第53-58页 |
| ·制品的 XRD测试分析 | 第53-54页 |
| ·制品的 SEM测试分析 | 第54-58页 |
| ·杂质对反应过程的影响 | 第58页 |
| ·碳化硅电热元件的导电机理 | 第58-59页 |
| ·碳化硅电热元件高温失效分析 | 第59-60页 |
| ·涂层对碳化硅电热元件的保护作用 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 5 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 附录 | 第67页 |
