| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-12页 |
| ·课题研究背景与意义 | 第8-9页 |
| ·国内外发展动态 | 第9-11页 |
| ·主要工作与论文主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 应变硅中载流子的输运特性 | 第12-21页 |
| ·应变硅的基本物理特性 | 第12-14页 |
| ·应变硅中电子的输运特性 | 第14-16页 |
| ·应变硅中空穴的输运特性 | 第16-21页 |
| 第三章 应变硅MOSFET 关键技术与器件制备 | 第21-30页 |
| ·应变硅沟道MOSFET 工作原理 | 第21-22页 |
| ·低温硅技术 | 第22-25页 |
| ·低温薄栅氧化层的制备 | 第25-27页 |
| ·应变硅MOSFET 器件制备与测试 | 第27-30页 |
| 第四章 应变硅MOSFET 载流子迁移率增强机理与模型 | 第30-62页 |
| ·硅中的主要散射机制 | 第30-34页 |
| ·应变硅NMOSFET 电子迁移率增强机理与建模 | 第34-45页 |
| ·应变硅PMOSFET 空穴迁移率增强机理与建模 | 第45-56页 |
| ·应变硅PMOSFET 空穴迁移率的测量与分析 | 第56-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66页 |