| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-22页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构及其特征 | 第11-14页 |
| ·面发射激光器的基本结构 | 第11-13页 |
| ·垂直腔面发射激光器的特点 | 第13-14页 |
| ·垂直腔面发射激光器的材料 | 第14-15页 |
| ·长波长垂直腔面发射激光器面临的技术问题及其研究进展 | 第15-21页 |
| ·长波长VCSEL目前所面临的技术问题 | 第16页 |
| ·1.3μm VCSEL的研究进展 | 第16-18页 |
| ·1.55μm VCSEL的研究进展 | 第18-19页 |
| ·1.55μm可调谐VCSEL的研究进展 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 VCSEL结构设计及理论研究 | 第22-55页 |
| ·半导体材料折射率计算 | 第22-26页 |
| ·电磁场的波动方程 | 第26-28页 |
| ·VCSEL腔镜设计 | 第28-52页 |
| ·DBR周期性结构的传输矩阵 | 第28-33页 |
| ·DBR腔镜反射光谱特性研究 | 第33-40页 |
| ·VCSEL反射光谱特性研究 | 第40-44页 |
| ·VCSEL光场分布计算 | 第44-48页 |
| ·高反射率DBR复合腔镜设计 | 第48-52页 |
| ·失配材料临界厚度计算 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 化合物半导体材料分子束外延(MBE)及XRD表征 | 第55-71页 |
| ·GSMBE技术简介 | 第55-56页 |
| ·MBE的原理及其特点 | 第56-60页 |
| ·GSMBE材料生长 | 第60-66页 |
| ·GSMBE系统介绍及其特点 | 第60-61页 |
| ·GaAs基和InP基化合物半导体材料的生长准备 | 第61-66页 |
| ·外延层材料高分辨率X射线衍射研究(HRXRD) | 第66-70页 |
| ·高分辨率X射线衍射仪介绍 | 第66-67页 |
| ·X射线衍射原理及倒空间分析 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 VCSEL材料生长及表征 | 第71-102页 |
| ·GSMBE生长InAsP／InGaAsP应变补偿多量子阱及表征 | 第71-81页 |
| ·压应变InAsP和张应变InGaAsP单层材料XRD研究 | 第71-78页 |
| ·InAsP／InGaAsP应变补偿多量子阱的生长及表征 | 第78-81页 |
| ·GaAs／AlGaAs DBR生长及其表征 | 第81-85页 |
| ·10对GaAs／AlGaAs DBR的XRD与反射谱表征 | 第82-83页 |
| ·35对GaAs／AlGaAs DBR的反射谱表征 | 第83-84页 |
| ·键合结构PL谱及反射谱表征 | 第84-85页 |
| ·AlInP／InGaAsP应变补偿多层异质结构的GSMBE生长及其表征 | 第85-94页 |
| ·AlInP／InGaAsP应变补偿多层异质结构的GSMBE生长 | 第86-88页 |
| ·AlInP／InGaAsP应变补偿多层异质结构的EPD及SIMS研究 | 第88-90页 |
| ·AlInP／InGaAsP应变补偿多层异质结构XRD研究 | 第90-93页 |
| ·AlInP／InGaAsP应变补偿多层异质结构PL研究 | 第93-94页 |
| ·VCSEL器件GSMBE生长及其表征 | 第94-100页 |
| ·InGaAsP／InP DBR生长及其表征 | 第94-97页 |
| ·1.31μm全外延VCSEL材料、器件及其表征 | 第97-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第六章 结论 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-112页 |
| 发表论文及申请专利目录 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 作者简历 | 第114页 |
