| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| §1.1 背景和意义 | 第9-10页 |
| §1.2 高电荷态离子源及离子光源简介 | 第10-12页 |
| §1.3 理论方法概述 | 第12-13页 |
| §1.4 本博士论文的内容 | 第13-15页 |
| 第二章 类硅离子禁戒跃迁的实验研究 | 第15-37页 |
| §2.1 束箔光谱学简要原理、发展历史和现状 | 第15-16页 |
| §2.2 实验装置 | 第16-23页 |
| 1 掠入射光谱仪 | 第17-22页 |
| 2 CCD探测器 | 第22-23页 |
| §2.3 能级寿命的测量 | 第23-26页 |
| §2.4 谱线识别和较刻 | 第26-36页 |
| 1 谱线的识别 | 第26-28页 |
| 2 谱线的较刻 | 第28-36页 |
| §2.5 实验结果讨论 | 第36-37页 |
| 第三章 类硅离子禁戒跃迁能级的理论计算 | 第37-61页 |
| §3.1 HF和MCHF的简介 | 第37-44页 |
| 1 中心力场近似 | 第37-38页 |
| 2 HF方法 | 第38-42页 |
| 3 MCHF方法 | 第42-43页 |
| 4 相对论效应的处理 | 第43-44页 |
| 5 小结 | 第44页 |
| §3.2 DF和MCDF方法 | 第44-50页 |
| 1 有心力场近似和单电子波函数 | 第45-46页 |
| 2 DF方法 | 第46-48页 |
| 3 MCDF方法 | 第48-49页 |
| 4 核的有限体积、Breit相互作用和QED效应的处理 | 第49-50页 |
| §3.3 组态相互作用的逐次展开基矢方法 | 第50-55页 |
| 1 VC、CV和CC关联 | 第50-51页 |
| 2 逐次展开基矢方法和具体的计算过程 | 第51-55页 |
| §3.4 计算结果和讨论 | 第55-61页 |
| 第四章 灯管荧光光谱实验研究 | 第61-71页 |
| §4.1 背景 | 第61-62页 |
| §4.2 实验方法及装置简介 | 第62-67页 |
| 1 在瑞典Lund大学 | 第63-65页 |
| 2 在法国Paul Sabatier大学 | 第65-67页 |
| §4.3 实验结果分析和讨论 | 第67-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 附录Ⅰ：攻读博士学位期间完成的论文 | 第76-77页 |
| 附录Ⅱ：GraspVU程序包英文简介 | 第77-87页 |
| 论文独创性声‘明 | 第87页 |