首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

新型低辐射薄膜TiN的APCVD法制备及性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
目录第8-10页
第一章 引言第10-11页
第二章 研究背景及现状第11-37页
 2.1 研究背景第11-13页
 2.2 理论基础第13-18页
  2.2.1 低辐射镀膜玻璃节能原理第13-14页
  2.2.2 低辐射镀膜玻璃节能性能表征第14-16页
  2.2.3 低辐射镀膜玻璃功能特点第16-18页
 2.3 低辐射镀膜玻璃的研究背景第18-24页
  2.3.1 低辐射镀膜玻璃分类第18-22页
  2.3.2 国内外应用概况第22-24页
 2.4 低辐射镀膜玻璃制备技术第24-31页
  2.4.1 真空蒸镀法第24页
  2.4.2 溅射镀膜法第24-26页
  2.4.3 电浮法镀膜第26页
  2.4.4 溶胶-凝胶法第26页
  2.4.5 喷涂镀膜法第26-28页
  2.4.6 化学气相沉积法第28-29页
  2.4.7 在线CVD法镀膜技术第29-31页
 2.5 氮化钛薄膜的研究背景第31-35页
  2.5.1 氮化钛的结构第31-33页
  2.5.2 TiN薄膜的电学性质第33页
  2.5.3 TiN薄膜的光学性质第33-34页
  2.5.4 TiN薄膜的制备方法: PVD法和 CVD法第34-35页
 2.6 选题角度的确定第35-37页
第三章 样品制备及测试第37-45页
 3.1 试样制备第37-40页
  3.1.1 装置第37-38页
  3.1.2 原料第38-39页
  3.1.3 薄膜样品制备过程第39-40页
 3.2 薄膜分析与测试方法第40-45页
  3.2.1 薄膜结构、成分和形貌分析第40-43页
  3.2.2 薄膜电学性能测试第43页
  3.2.3 薄膜光学性能测试第43-44页
  3.2.4 薄膜厚度测定第44-45页
第四章 TiN薄膜的制备参数与结构和性能分析第45-73页
 4.1 本研究制备的最优TiN薄膜第45-52页
  4.1.1 TiN薄膜的结构和形貌分析第45-48页
  4.1.2 TiN薄膜成分分析第48-49页
  4.1.3 TiN薄膜的光谱特性分析第49-50页
  4.1.4 TiN薄膜禁带宽度的计算第50-52页
  4.1.5 TiN薄膜膜面颜色第52页
 4.2 制备参数对 TiN薄膜结构和光电性能的影响第52-70页
  4.2.1 基板温度对薄膜的结构和光电性能的影响第52-61页
  4.2.2 反应物浓度对薄膜结构和光电性能的影响第61-64页
  4.2.3 反应时间对薄膜结构和光电性能的影响第64-70页
 4.3 TiN薄膜的成膜机理第70-71页
 4.4 TiN薄膜作为低辐射膜的应用前景第71-72页
 4.5 小结第72-73页
第五章 结论第73-74页
参考文献第74-79页
攻读硕士期间发表的论文第79-80页
致谢第80页

论文共80页,点击 下载论文
上一篇:无线局域网MAC层服务质量研究
下一篇:会计档案信息资源研究