| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·课题来源 | 第8页 |
| ·隧穿二极管的发明及研究进展 | 第8-9页 |
| ·SiGe技术 | 第9-10页 |
| ·本论文工作 | 第10-12页 |
| 第二章 共振隧穿二极管 | 第12-26页 |
| ·量子隧穿理论 | 第12-15页 |
| ·量子隧穿概念 | 第12-13页 |
| ·单势垒隧穿 | 第13-14页 |
| ·共振隧穿 | 第14-15页 |
| ·隧穿二极管分类及其基本结构 | 第15-17页 |
| ·空穴型共振隧穿二极管 | 第15-16页 |
| ·电子型共振隧穿二极管 | 第16页 |
| ·带间隧穿二极管 | 第16-17页 |
| ·共振隧穿二极管工作原理 | 第17-18页 |
| ·共振隧穿二极管电学特性 | 第18-21页 |
| ·共振隧穿二极管电流-电压特性 | 第18-19页 |
| ·共振隧穿二极管电容-电压特性 | 第19-20页 |
| ·共振隧穿二极管等效电路 | 第20-21页 |
| ·共振隧穿二极管性能表征物理量 | 第21页 |
| ·共振隧穿二极管结构参数和工作温度对器件性能影响 | 第21-22页 |
| ·共振隧穿二极管电流方程 | 第22-23页 |
| ·共振隧穿二极管电路应用举例 | 第23-26页 |
| 第三章 Si/SiGe异质结 | 第26-36页 |
| ·Si/SiGe异质结生长 | 第26-30页 |
| ·晶格失配材料体系生长类型 | 第26-28页 |
| ·Si/SiGe异质结生长 | 第28-29页 |
| ·应变SiGe临界厚度 | 第29-30页 |
| ·Si/SiGe异质结材料分析方法 | 第30-32页 |
| ·双晶X射线衍射法(DCXRD) | 第30-31页 |
| ·Raman散射光谱 | 第31页 |
| ·二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry-SIMS) | 第31页 |
| ·横截面透射电子显微镜(Cross-sectional transmission electron microscope-XTEM) | 第31-32页 |
| ·Si/SiGe异质结能带结构 | 第32-36页 |
| ·Si/SiGe异质结能带工程 | 第32-33页 |
| ·Si/SiGe异质结能隙 | 第33-34页 |
| ·Si/SiGe异质结能带结构计算 | 第34-36页 |
| 第四章 基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管的制备和测试 | 第36-52页 |
| ·Si/SiGe异质结材料制备 | 第36-44页 |
| ·UHV/CVD SiGe生长设备简介 | 第36-38页 |
| ·材料制备 | 第38-44页 |
| ·样品#010930 | 第38-39页 |
| ·样品#030422 | 第39-42页 |
| ·样品#030425 | 第42-44页 |
| ·器件制备 | 第44-46页 |
| ·器件电流电压特性测试 | 第46-52页 |
| ·样品#010930 | 第46-48页 |
| ·样品#030422 | 第48-49页 |
| ·样品#030425 | 第49-52页 |
| 第五章 共振隧穿二极管能级分布计算及直流参数提取 | 第52-64页 |
| ·量子阱能级分布计算 | 第52-58页 |
| ·相干隧穿与传递矩阵方法 | 第52-54页 |
| ·双势垒单量子阱结构隧穿系数 | 第54-55页 |
| ·量子阱内量子化能级分布计算 | 第55-58页 |
| ·电流方程参数提取 | 第58-64页 |
| ·忽略串联电阻影响 | 第58-60页 |
| ·考虑串联电阻影响 | 第60-64页 |
| 第六章 总结 | 第64-66页 |
| ·本论文主要工作 | 第64-65页 |
| ·论文工作改进及进一步研究方向 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致 谢 | 第70页 |
| 声 明 | 第70-72页 |
| 附录Ⅰ SiGe Raman spectra | 第72-73页 |
| 附录Ⅱ 样品#010930版图 | 第73-74页 |
| 附录Ⅲ 样品#030422版图 | 第74-75页 |
| 附录Ⅳ 隧穿系数计算程序 | 第75-77页 |
| 附录Ⅴ 电流电压曲线计算程序 | 第77-80页 |
| 本人简历 | 第80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第80页 |
