磁性隧道结电磁特性的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·磁电阻效应概述 | 第11-16页 |
| ·正常磁电阻(OMR) | 第11页 |
| ·各向异性磁电阻 | 第11-12页 |
| ·磁性多层膜及自旋阀结构磁电阻 | 第12-14页 |
| ·金属颗粒膜中的巨磁电阻效应 | 第14-15页 |
| ·氧化物中的超巨磁电阻效应(CMR) | 第15页 |
| ·磁性隧道结中的巨磁电阻效应 | 第15-16页 |
| ·巨磁电阻材料的应用 | 第16-18页 |
| ·高灵敏度传感器 | 第16页 |
| ·高密度读出磁头 | 第16-17页 |
| ·磁电阻随机存储器(MRAM) | 第17页 |
| ·自旋晶体管 | 第17-18页 |
| ·本论文研究的主要内容及意义 | 第18-19页 |
| 第2章 磁电阻理论 | 第19-30页 |
| ·巨磁电阻效应的机制 | 第19-20页 |
| ·自旋极化 | 第19-20页 |
| ·自旋相关散射 | 第20页 |
| ·自旋驰豫 | 第20页 |
| ·巨磁电阻效应的理论解释 | 第20-29页 |
| ·基于mott二流体模型的简单解释 | 第21-22页 |
| ·TMR效应的两种理论描述 | 第22-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 样品的制备与测试 | 第30-36页 |
| ·样品的制备 | 第30-33页 |
| ·薄膜制备系统及其操作规程 | 第30-32页 |
| ·衬底基片的准备 | 第32页 |
| ·样品结构极其制备环境和参数 | 第32-33页 |
| ·样品的量 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 实验结果与分析 | 第36-54页 |
| ·磁性隧道结的典型磁电阻效应 | 第36-37页 |
| ·隧道结的磁电阻偏压特性 | 第37-41页 |
| ·隧道结I-V特性曲线和负阻现象 | 第41-44页 |
| ·隧道结I-V特性 | 第41-42页 |
| ·负阻现象 | 第42-44页 |
| ·中间绝缘层对磁电阻的影响 | 第44-46页 |
| ·铁磁层厚度对磁电阻的影响 | 第46-50页 |
| ·热退火对隧道结磁电阻的影响 | 第50-51页 |
| ·有关提高磁性隧道结质量的讨论 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
