| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-14页 |
| 第一部分 概述 | 第14-44页 |
| 第一章 导论 | 第15-32页 |
| ·计算材料研究方法概述 | 第15-18页 |
| ·表面科学研究在材料科学中的地位 | 第18-19页 |
| ·表面科学研究的一些基本概念 | 第19-25页 |
| ·表面结构 | 第19-21页 |
| ·表面能 | 第21-22页 |
| ·表面电子态 | 第22-24页 |
| ·表面投影能带 | 第24-25页 |
| ·表面科学的发展回顾和展望 | 第25-28页 |
| 参考文献 | 第28-32页 |
| 第二章 研究现状与研究目的 | 第32-44页 |
| ·稳定的高指数表面的发现 | 第32-36页 |
| ·高弥勒指数表面的特性 | 第36-38页 |
| ·目前研究现状 | 第38-39页 |
| ·本工作的研究目的 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 第二部分 研究方法 | 第44-74页 |
| 第三章 计算方法 | 第45-74页 |
| ·分子动力学方法 | 第45-55页 |
| ·引言 | 第45-47页 |
| ·基本方程和算法 | 第47-50页 |
| ·径向分布函数 | 第50-51页 |
| ·相互作用势函数 | 第51-55页 |
| ·散射理论方法 | 第55-63页 |
| ·紧束缚形式 | 第55-57页 |
| ·散射理论方法概述 | 第57页 |
| ·基本公式 | 第57-58页 |
| ·原子轨道的线性组合表象 | 第58-60页 |
| ·应用到理想表面 | 第60-61页 |
| ·应用于弛豫表面 | 第61-62页 |
| ·应用于重构表面 | 第62-63页 |
| ·密度泛函理论 | 第63-72页 |
| ·基本思想 | 第63-66页 |
| ·对交换相关函数的近似 | 第66-68页 |
| ·定域密度近似(LDA) | 第68页 |
| ·Car-Parrinello方法 | 第68-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第三部分 应用 | 第74-168页 |
| 第四章 Al、Cu、Ni等金属高密勒指数表面的表面能计算 | 第75-90页 |
| ·引言 | 第75-76页 |
| ·基本结果 | 第76-79页 |
| ·平衡晶格常数 | 第76-77页 |
| ·径向分布函数 | 第77-79页 |
| ·物理模型与模拟方法 | 第79页 |
| ·表面能计算 | 第79-87页 |
| ·表面结构单元模型 | 第79-81页 |
| ·Al、Cu、Ni在0K时的表面能 | 第81-85页 |
| ·Al、Cu在有限温度时的表面能 | 第85-87页 |
| ·结论 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-90页 |
| 第五章 Ⅲ-Ⅴ族半导体(112)表面电子结构特性研究 | 第90-105页 |
| ·研究进展 | 第90-93页 |
| ·电子数目规则 | 第93-94页 |
| ·表面原子几何与计算 | 第94-95页 |
| ·InSb的电子结构性质 | 第95-98页 |
| ·表面能带结构和表面稳定性 | 第95-98页 |
| ·表面态密度 | 第98页 |
| ·GaAs(112)表面电子结构 | 第98-100页 |
| ·和实验结果比较 | 第100-103页 |
| ·结论 | 第103页 |
| 参考文献 | 第103-105页 |
| 第六章 Ⅲ-Ⅴ族半导体(113)表面电子结构特性研究 | 第105-121页 |
| ·研究现状 | 第105-108页 |
| ·计算模型和表面布里渊区 | 第108-109页 |
| ·理想(113)A表面电子结构特征 | 第109-114页 |
| ·理想(113)A表面电子结构特征 | 第109-111页 |
| ·理想(113)B表面电子结构特征 | 第111-112页 |
| ·其它Ⅲ-Ⅴ族半导体(113)A和B表面电子结构特征 | 第112-114页 |
| ·IBA制备的GaAs(113)A(1×1)表面电子特性 | 第114-117页 |
| ·GaAs(113)A(1×1)表面电子特性:桥位模型 | 第114-116页 |
| ·GaAs(113)A(1×1)表面电子特性:空位模型 | 第116-117页 |
| ·和实验结果的比较 | 第117-118页 |
| ·结论 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-121页 |
| 第七章 GaAs(114)表面电子结构特性的理论研究 | 第121-133页 |
| ·引言 | 第121-122页 |
| ·表面原子几何结构 | 第122-123页 |
| ·计算模型与参数 | 第123-125页 |
| ·理想截断的A、B表面电子结构和稳定性比较 | 第125-129页 |
| ·理想截断(114)A表面的电子结构 | 第125-128页 |
| ·理想截断(114)B表面的电子结构 | 第128-129页 |
| ·再构的GaAs(114)α(2×1)表面结构特性 | 第129-131页 |
| ·结论 | 第131页 |
| 参考文献 | 第131-133页 |
| 第八章 GaAs(2 5 11)表面电子结构特性研究 | 第133-143页 |
| ·极射赤面投影图中的一个稳定的高指数表面-实验结果 | 第133-134页 |
| ·表面几何 | 第134-135页 |
| ·电子数目规则 | 第135-136页 |
| ·计算模型与计算参数 | 第136-137页 |
| ·特殊点波矢可分辨的态密度分析 | 第137-140页 |
| ·表面总态密度 | 第140-141页 |
| ·结论 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-143页 |
| 第九章 GaAs低密勒指数表面与高弥勒指数表面特性的对比研究 | 第143-153页 |
| ·GaAs几个低密勒指数表面研究结果综述 | 第143-147页 |
| ·GaAs(110)表面几何结构和表面电子性质 | 第143-144页 |
| ·GaAs(100)表面几何结构和表面电子性质 | 第144-146页 |
| ·GaAs(111)表面几何结构 | 第146-147页 |
| ·高低密勒指数表面理想和稳定表面悬挂键密度比较 | 第147-149页 |
| ·表面极性的比较 | 第149-150页 |
| ·电子数目规则和表面稳定机制问题 | 第150页 |
| ·表面电子态数目和能级 | 第150-151页 |
| ·表面金属性和表面半导体性 | 第151页 |
| ·表面能的大小问题 | 第151-152页 |
| 参考文献 | 第152-153页 |
| 第十章 PbTe和PbS(001)表面特性的第一性原理计算 | 第153-165页 |
| ·引言 | 第153-154页 |
| ·计算方法与物理模型 | 第154-155页 |
| ·计算结果与讨论 | 第155-162页 |
| ·PbTe(100)表面几何结构 | 第155-157页 |
| ·PbTe(001)表面电子结构 | 第157-160页 |
| ·PbS(100)表面几何结构 | 第160-161页 |
| ·PbS(001)表面电子结构 | 第161-162页 |
| ·结论 | 第162-163页 |
| 参考文献 | 第163-165页 |
| 第十一章 结论 | 第165-168页 |
| 附录、一: First-Principle Studies of Ti Diffusion on C (001) Surface | 第168-175页 |
| 1 Introduction | 第168-169页 |
| 2 The Method of Calculation | 第169-170页 |
| 3 Results and Discussions | 第170-173页 |
| 4 Conclusion | 第173页 |
| References | 第173-175页 |
| 附录、二: Studies of Electronic States Properties of Oxygen In Bulk Terminated YBa_2Cu_3O_7 Surface | 第175-185页 |
| 1 Introduction | 第175-176页 |
| 2 Method of calculation | 第176-177页 |
| 3 Results and discussion | 第177-183页 |
| 4 Summary | 第183页 |
| References | 第183-185页 |
| 博士期间发表论文 | 第185-187页 |
| 致谢 | 第187页 |
