中文摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
第一章 计算机模拟下的材料计算 | 第9-27页 |
·材料计算与计算机模拟 | 第9-12页 |
·材料计算 | 第9-10页 |
·计算机模拟 | 第10页 |
·计算机模拟在纳米材料计算中的应用 | 第10-12页 |
·计算机模拟研究的几种主要方法 | 第12-17页 |
·Monte Carlo 方法 | 第12-14页 |
·分子动力学方法 | 第14-15页 |
·分子力学方法 | 第15页 |
·量子力学方法 | 第15-17页 |
·Castep 和Dmol~3 软件包简介 | 第17-24页 |
·Castep 简介 | 第18-22页 |
·Dmol~3 模块简介 | 第22-24页 |
参考文献 | 第24-27页 |
第二章 基础理论简介 | 第27-46页 |
·绝热近似 | 第28页 |
·哈特利-福克近似 | 第28-30页 |
·周期场近似 | 第30-31页 |
·固体能带的计算方法 | 第31-42页 |
·计算机自洽计算能带的过程 | 第31-32页 |
·固体能带的计算方法 | 第32-42页 |
·本论文计算材料体系的选取和意义 | 第42-44页 |
参考文献 | 第44-46页 |
第三章 Pt 掺杂金红石相TiO_2所致红移现象的理论研究 | 第46-57页 |
·引言 | 第46-47页 |
·晶体模型构建与计算方法 | 第47-48页 |
·晶体模型 | 第47页 |
·计算方法 | 第47-48页 |
·结果与讨论 | 第48-54页 |
·TiO_2 计算结果与讨论 | 第48-49页 |
·Pt_xTi_(1-x)O_2 计算结果与讨论 | 第49-54页 |
·小结 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-57页 |
第四章 Hg 掺杂CdTe 所致禁带宽度变窄的理论研究 | 第57-70页 |
·引言 | 第57-58页 |
·晶体模型构建与计算方法 | 第58-59页 |
·晶体模型构建 | 第58页 |
·计算方法 | 第58-59页 |
·结果与讨论 | 第59-66页 |
·CdTe 计算结果与讨论 | 第59-61页 |
·Hg 掺杂计算结果与讨论 | 第61-66页 |
·小结 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-70页 |
第五章 Mg 掺杂CdTe 所致禁带宽度变宽的理论研究 | 第70-82页 |
·引言 | 第70-71页 |
·晶体模型构建与计算方法 | 第71-72页 |
·晶体模型构建 | 第71页 |
·计算方法 | 第71-72页 |
·结果与讨论 | 第72-78页 |
·Mg_xCd_(1-x)Te 的态密度和能带结构 | 第72-73页 |
·Mg 掺杂CdTe 的禁带宽度 | 第73-74页 |
·禁带宽度变宽的微观机制 | 第74-76页 |
·应变对禁带宽度的影响 | 第76-77页 |
·吸收谱图 | 第77-78页 |
·小结 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-82页 |
第六章 工作总结与展望 | 第82-83页 |
·主要计算结果 | 第82页 |
·展望 | 第82-83页 |
硕士期间论文完成与发表 | 第83-84页 |
致谢 | 第84页 |