| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·研究意义与课题背景 | 第10-17页 |
| ·光子集成的优越性 | 第10-11页 |
| ·实现光子集成的困难 | 第11-12页 |
| ·光子集成技术的目标 | 第12页 |
| ·光开关技术及其研究进展 | 第12-13页 |
| ·光开关的主要应用领域 | 第13-14页 |
| ·光开关研究意义 | 第14-17页 |
| ·研究内容与结构安排 | 第17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第二章 载流子注入MMI光开关原理 | 第20-40页 |
| ·载流子注入机制 | 第20页 |
| ·带填充效应 | 第20-29页 |
| ·带隙收缩效应 | 第29-31页 |
| ·自由载流子吸收效应 | 第31-33页 |
| ·联合效应 | 第33-35页 |
| ·InP/InGaAsP材料光开关载流子注入相关计算与仿真 | 第35-38页 |
| ·带填充效应和载流子吸收效应对光开关的影响比较 | 第35-36页 |
| ·折射率变化与In1-xGaxAsyP1-y材料光开关的材料组分之间的关系 | 第36-37页 |
| ·折射率变化与光开关注入电流之间的关系 | 第37页 |
| ·In1-xGaxAsyP1-y材料光开关实现开关状态切换的工作电流 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 MMI-MZI型InP/InGaAsP光开关的设计 | 第40-54页 |
| ·光开关简介 | 第40-42页 |
| ·2×2光开关功能设计及相关说明 | 第40-41页 |
| ·MMI-MZI型光开关的工作原理 | 第41-42页 |
| ·MMI-MZI型InP/InGaAsP光开关的设计 | 第42-50页 |
| ·光开关外延层的设计 | 第42-43页 |
| ·光开关传输波导的设计 | 第43-46页 |
| ·光开关的MMI设计 | 第46-48页 |
| ·光开关状态的设计 | 第48-50页 |
| ·光开关的制造容差 | 第50-53页 |
| ·MMI长度变化对光开关的影响 | 第50-51页 |
| ·光开关宽度变化对光开关的影响 | 第51页 |
| ·两侧波导宽度不对称对光开关的影响 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第四章 光开关的制备与测试 | 第54-74页 |
| ·光开关波导材料的生长 | 第54-55页 |
| ·外延片的设计与制备 | 第54-55页 |
| ·光开关的加工 | 第55-64页 |
| ·掩膜版的绘制与制备 | 第55-57页 |
| ·光波导的干法刻蚀 | 第57-61页 |
| ·减薄工艺改进 | 第61页 |
| ·光开关电极的制作 | 第61-62页 |
| ·后续工艺——侧面处理 | 第62-63页 |
| ·后续工艺——端面处理 | 第63-64页 |
| ·光开关的测试 | 第64-73页 |
| ·光开关测试指标 | 第64-65页 |
| ·光开关测试装置 | 第65-67页 |
| ·未镀电极时光开关的性能测试 | 第67-70页 |
| ·镀上电极时光开关的性能测试 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 附录1 与InP匹配的四元系GaxIn1-xAsyP1-y材料的折射率计算 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第77页 |
