| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-35页 |
| ·XAFS 技术 | 第13-18页 |
| ·XAFS 的发展历史 | 第13-16页 |
| ·XAFS 方法的特点 | 第16-17页 |
| ·XAFS 方法在稀磁半导体材料领域的应用 | 第17-18页 |
| ·自旋电子学发展概述 | 第18-21页 |
| ·稀磁半导体 | 第21-26页 |
| ·稀磁半导体研究的历史与现状 | 第22-24页 |
| ·稀磁半导体原理与理论体系 | 第24-26页 |
| ·Ⅳ族稀磁半导体薄膜研究意义及现状 | 第26-28页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-35页 |
| 第二章 XAFS 基本理论，数据分析及实验方法 | 第35-61页 |
| ·EAXFS 基本理论 | 第35-42页 |
| ·X 射线吸收 | 第35-39页 |
| ·XAFS 基本方程的推导 | 第39-41页 |
| ·EXAFS 基本方程的一些修正 | 第41-42页 |
| ·EXAFS 数据分析 | 第42-49页 |
| ·EXAFS 数据分析的基本步骤 | 第42-45页 |
| ·EXAFS 数据中的信息量 | 第45-46页 |
| ·EXAFS 数据分析软件 | 第46-49页 |
| ·XAFS 实验 | 第49-58页 |
| ·同步辐射XAFS 光束线和实验站 | 第49-53页 |
| ·透射式XAFS | 第53-55页 |
| ·荧光式XAFS | 第55-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第三章 磁控溅射装置的搭建与调试 | 第61-73页 |
| ·磁控溅射原理 | 第61-62页 |
| ·MS500B型超高真空磁控溅射设备技术方案 | 第62-65页 |
| ·磁控溅射实验方法 | 第65-68页 |
| ·系统从大气开始抽真空 | 第65-66页 |
| ·样品安装 | 第66-67页 |
| ·磁控溅射镀膜 | 第67-68页 |
| ·取出样品 | 第68页 |
| ·停泵关机 | 第68页 |
| ·影响薄膜质量的工艺因素 | 第68-72页 |
| ·溅射时工作压力对薄膜的影响 | 第68-69页 |
| ·工件转速对金属膜的影响 | 第69-71页 |
| ·溅射功率对膜的影响 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第四章 Si_(1-x)Mn_x 稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究 | 第73-93页 |
| ·样品的制备 | 第73-74页 |
| ·测试手段及设备 | 第74-75页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第74页 |
| ·超导量子干涉仪（SQUID） | 第74页 |
| ·Mn K 边X 射线吸收谱（XAFS） | 第74-75页 |
| ·Mn L 边X 射线吸收谱（XAFS） | 第75页 |
| ·实验结果分析 | 第75-81页 |
| ·XRD 结果与分析 | 第75-76页 |
| ·SQUID 结果与分析 | 第76-77页 |
| ·Mn K 边XAFS 结果与分析 | 第77-80页 |
| ·Mn L 边XAFS 结果与分析 | 第80-81页 |
| ·讨论 | 第81-88页 |
| ·Si_(1-x)Mn_x 稀磁半导体薄膜样品中Mn 原子占位的讨论 | 第81-84页 |
| ·Si_(1-x)Mn_x稀磁半导体薄膜样品中结构扭曲的讨论 | 第84-85页 |
| ·Si_(1-x)Mn_x稀磁半导体薄膜样品结构与磁性的讨论 | 第85-88页 |
| ·结论 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |
| 第五章 Ge_(1-x)Mn_x稀磁半导体薄膜的结构研究 | 第93-108页 |
| ·样品的制备 | 第93-94页 |
| ·测试手段及设备 | 第94-97页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第94页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第94-96页 |
| ·拉曼光谱 | 第96页 |
| ·X 射线吸收谱（XAFS） | 第96-97页 |
| ·实验结果与分析 | 第97-102页 |
| ·XRD 结果与分析 | 第97-98页 |
| ·AFM 结果与分析 | 第98页 |
| ·拉曼光谱结果与分析 | 第98-100页 |
| ·XAFS 结果与分析 | 第100-102页 |
| ·讨论 | 第102-105页 |
| ·结论 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-108页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
