| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·功率半导体器件的发展和应用 | 第10-11页 |
| ·中国功率器件市场与发展趋势 | 第11-13页 |
| ·IGBT发展历程 | 第13-15页 |
| ·电力电子技术发展对器件的要求 | 第15-16页 |
| ·本论文的目的、工作和研究方法 | 第16-17页 |
| 第二章 结终端技术简介 | 第17-27页 |
| ·影响击穿电压的几个因素 | 第17-20页 |
| ·平面工艺PN结扩散终端对击穿电压的影响 | 第17-18页 |
| ·界面电荷存在对击穿电压的影响 | 第18-19页 |
| ·杂质在Si、SiO_2中具有不同的分凝系数对击穿电压的影响 | 第19-20页 |
| ·各种结终端技术简介 | 第20-27页 |
| ·场限环技术 | 第20-21页 |
| ·场板技术 | 第21-25页 |
| ·结终端扩展技术 | 第25-26页 |
| ·场板和场限环组合技术 | 第26-27页 |
| 第三章 MEDICI仿真程序 | 第27-37页 |
| ·基本程序描述 | 第27-28页 |
| ·模型的选取 | 第28-32页 |
| ·复合模型的选取 | 第28-29页 |
| ·载流子浓度分布的确定 | 第29-31页 |
| ·迁移率模型的选取 | 第31-32页 |
| ·雪崩碰撞电离模型 | 第32页 |
| ·边界条件 | 第32-34页 |
| ·数值求解方法 | 第34-37页 |
| ·离散化 | 第34-35页 |
| ·求解方法 | 第35-37页 |
| 第四章 终端结构仿真分析 | 第37-46页 |
| ·单个场限环电压分布和边界峰值电场理论 | 第37-42页 |
| ·FFLR电压分布和边界峰值电场理论 | 第37-40页 |
| ·单个场限环终端结构模拟 | 第40-42页 |
| ·环间距的优化 | 第42页 |
| ·场板技术的理论分析及优化 | 第42-44页 |
| ·场限环表面浓度的影响 | 第44-45页 |
| ·场限环宽度(扩散窗口宽度)的影响 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 高压IGBT终端结构设计 | 第46-57页 |
| ·基本结构参数的选取以及终端结构的确定 | 第46-49页 |
| ·基本结构参数的选取 | 第46-47页 |
| ·终端结构的选取 | 第47-49页 |
| ·仿真设计分析 | 第49-56页 |
| ·最初的终端结构设计参数 | 第49页 |
| ·终端结构优化 | 第49-52页 |
| ·最终选择的终端结构 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| ·工作建议 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62页 |