| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| Ⅰ 基于络合物薄膜的电存储器件 | 第11-44页 |
| 第一章 电存储器件简介 | 第12-18页 |
| ·信息技术与电存储器 | 第12-13页 |
| ·传统硅基电子器件及其即将面临的问题 | 第13页 |
| ·解决措施的探索 | 第13-14页 |
| ·改进硅基器件的制备工艺流程 | 第13-14页 |
| ·开发新材料、新工艺制备电子器件 | 第14页 |
| ·一次写入多次读取电存储器件 | 第14-16页 |
| ·WORM电存储器件的基本要求 | 第16页 |
| ·电存储器件的开关模型 | 第16-17页 |
| ·Filaments模型 | 第16-17页 |
| ·离子扩散 | 第17页 |
| ·本文的工作 | 第17-18页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第18-25页 |
| ·实验设计 | 第18-19页 |
| ·设计思路 | 第18页 |
| ·分子选择 | 第18-19页 |
| ·器件结构 | 第19-20页 |
| ·基底 | 第20页 |
| ·顶、底电极 | 第20页 |
| ·介质层 | 第20页 |
| ·实验过程 | 第20-22页 |
| ·制备流程(1) | 第20-21页 |
| ·制备流程(2) | 第21页 |
| ·成分分析 | 第21页 |
| ·形貌表征 | 第21页 |
| ·电学性能测试 | 第21-22页 |
| ·主要实验材料 | 第22-23页 |
| ·主要实验仪器 | 第23-25页 |
| 第三章 结果分析与讨论 | 第25-42页 |
| ·以DMMM-Na/H_2O溶液与Cu膜反应制备介质层 | 第25-28页 |
| ·一次写入多次读取的电存储性质 | 第25-26页 |
| ·固-液界面反应机理 | 第26页 |
| ·电存储机制 | 第26-27页 |
| ·存在的缺陷 | 第27-28页 |
| ·退火温度对器件性能的影响 | 第28-29页 |
| ·固-液界面反应前预处理铜电极 | 第29-31页 |
| ·反应时间的选择 | 第31-32页 |
| ·Al/DMMM-Cu/Cu器件的完整制备流程 | 第32页 |
| ·介质层薄膜的表征 | 第32-33页 |
| ·Al/DMMM-Cu/Cu器件的一些统计数据 | 第33-34页 |
| ·阈值电压不一致的原因分析 | 第34-35页 |
| ·基于上述制备流程的改进措施 | 第35-36页 |
| ·溶质 | 第35-36页 |
| ·溶剂 | 第36页 |
| ·反应深度的控制 | 第36页 |
| ·以KSCN/EtOH溶液与Cu膜反应制备介质层 | 第36-38页 |
| ·制备工艺 | 第36页 |
| ·介质层薄膜的表征 | 第36-37页 |
| ·一次写入多次读取的电存储性质 | 第37-38页 |
| ·一致性测试 | 第38页 |
| ·稳定性测试 | 第38-40页 |
| ·跃迁过程表征 | 第40-42页 |
| 第四章 总结与展望 | 第42-44页 |
| ·全文总结 | 第42页 |
| ·展望 | 第42-44页 |
| Ⅱ单面纳米结构金膜 | 第44-71页 |
| 第一章 纳米材料简介 | 第45-50页 |
| ·纳米尺度及纳米材料 | 第45-46页 |
| ·纳米材料的特殊性质 | 第46-48页 |
| ·量子效应 | 第46页 |
| ·小尺寸效应 | 第46-47页 |
| ·表面效应 | 第47页 |
| ·界面效应 | 第47-48页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第48页 |
| ·量子隧穿效应 | 第48页 |
| ·介电限域效应 | 第48页 |
| ·纳米金材料 | 第48-49页 |
| ·本文的工作 | 第49-50页 |
| 第二章 制备及表征单面纳米结构金膜 | 第50-57页 |
| ·实验设计 | 第50-53页 |
| ·基本思路 | 第50页 |
| ·基底的选择 | 第50页 |
| ·金属及化学腐蚀试剂的选择 | 第50-53页 |
| ·小结 | 第53页 |
| ·实验流程 | 第53-54页 |
| ·制备 | 第53页 |
| ·形貌表征 | 第53-54页 |
| ·可见光谱测试 | 第54页 |
| ·拉曼光谱测试 | 第54页 |
| ·主要实验材料 | 第54-56页 |
| ·实验仪器设备 | 第56-57页 |
| 第三章 结果分析及讨论 | 第57-69页 |
| ·表面形貌分析 | 第57-58页 |
| ·剖面分析 | 第58页 |
| ·可见光谱分析 | 第58-59页 |
| ·纳米孔的形成机理 | 第59-62页 |
| ·薄膜的厚度 | 第59-60页 |
| ·退火过程铜膜成分的变化 | 第60-61页 |
| ·模板的产生与纳米孔的形成 | 第61-62页 |
| ·退火条件的选择 | 第62-65页 |
| ·退火温度的影响 | 第62页 |
| ·退火时间的影响 | 第62-64页 |
| ·纳米孔的统计 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65页 |
| ·拉曼光谱测试 | 第65-69页 |
| ·有机分子的选择 | 第65页 |
| ·金膜的拉曼光谱分析 | 第65-67页 |
| ·对甲基苯硫酚拉曼光谱分析 | 第67页 |
| ·4,4'-联吡啶拉曼光谱分析 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第四章 总结与展望 | 第69-71页 |
| ·全文总结 | 第69页 |
| ·展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 硕士期间发表的论文及专利 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |