| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第9-10页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第9页 |
| 1.1.2 课题研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 IGBT结温测量研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 IGBT电磁干扰研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 IGBT的工作原理及传热分析 | 第16-26页 |
| 2.1 IGBT的基本原理 | 第16-20页 |
| 2.1.1 IGBT的芯片工作原理 | 第16-17页 |
| 2.1.2 IGBT的电路符号与等效电路 | 第17-18页 |
| 2.1.3 IGBT的输出特性与转移特性 | 第18-20页 |
| 2.2 IGBT的基本结构 | 第20-22页 |
| 2.2.1 IGBT模块的外部结构与电路原理图 | 第20页 |
| 2.2.2 IGBT模块的层状结构 | 第20-22页 |
| 2.3 IGBT的功率损耗 | 第22-23页 |
| 2.4 IGBT模块的传热分析 | 第23-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 基于V_(eE-peak)的 IGBT模块结温测量方法研究 | 第26-42页 |
| 3.1 IGBT模块寄生参数分析与提取 | 第26-28页 |
| 3.1.1 IGBT模块的寄生参数分析 | 第26-27页 |
| 3.1.2 IGBT模块的寄生参数提取 | 第27-28页 |
| 3.2 寄生参数对IGBT关断过程影响 | 第28-31页 |
| 3.2.1 寄生参数对IGBT关断过程影响的仿真 | 第28-30页 |
| 3.2.2 寄生参数对IGBT关断过程影响的理论分析 | 第30-31页 |
| 3.3 关断过程中V_(eE-peak)的影响因素分析 | 第31-34页 |
| 3.3.1 关断过程中V_(eE-peak)随结温的变化分析 | 第31-33页 |
| 3.3.2 关断过程中V_(eE-peak)随集电极电流I_c变化的分析 | 第33-34页 |
| 3.4 IGBT模块离线测试实验验证 | 第34-41页 |
| 3.4.1 在不同的结温T_j下V_(eE-peak)的测量结果 | 第35-36页 |
| 3.4.2 在不同的集电极电流I_c下V_(eE-peak)的测量结果 | 第36-37页 |
| 3.4.3 基于V_(eE-peak)的 IGBT结温预测模型 | 第37-40页 |
| 3.4.4 IGBT模块结温预测模型的验证 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小节 | 第41-42页 |
| 第四章 IGBT模块的电磁干扰特性研究 | 第42-55页 |
| 4.1 电磁干扰产生机理及测试方法 | 第42-45页 |
| 4.1.1 电磁干扰 | 第42-43页 |
| 4.1.2 IGBT模块传导电磁干扰的形成机理 | 第43-44页 |
| 4.1.3 传导电磁干扰测试方法 | 第44-45页 |
| 4.2 结温升高对IGBT开关过程的影响 | 第45-48页 |
| 4.2.1 结温升高对IGBT开通过程的影响 | 第45-47页 |
| 4.2.2 结温升高对IGBT关断过程的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 IGBT工作暂态的频域分析 | 第48-50页 |
| 4.4 实验测试 | 第50-54页 |
| 4.4.1 实验设计及测试平台搭建 | 第50-51页 |
| 4.4.2 实验方法 | 第51-52页 |
| 4.4.3 实验结果 | 第52-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 论文总结 | 第55-56页 |
| 5.2 后续研究工作展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
