新型磁通轴向调节记忆电机的设计与性能分析
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第10页 |
| 1.2 气隙磁通可调永磁电机研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 改变漏磁通路径方式 | 第10-12页 |
| 1.2.2 通过机械装置弱磁的电机结构 | 第12-14页 |
| 1.3 记忆电机研究现状 | 第14-18页 |
| 1.3.1 记忆电机概念的提出 | 第14-16页 |
| 1.3.2 记忆永磁体发展情况概述 | 第16-18页 |
| 1.4 本课题主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 磁通轴向调节记忆电机的结构及弱磁原理 | 第20-37页 |
| 2.1 电机结构及原理概述 | 第20-21页 |
| 2.2 调磁结构磁路法模型的建立 | 第21-28页 |
| 2.2.1 磁通通过转轴调磁结构 | 第21-24页 |
| 2.2.2 通过定子弱磁结构 | 第24-26页 |
| 2.2.3 磁通通过导磁体弱磁结构 | 第26-28页 |
| 2.3 各结构对比分析 | 第28-36页 |
| 2.3.1 记忆永磁体提供磁动势大小比较 | 第28-30页 |
| 2.3.2 弱磁结构磁阻大小比较 | 第30-32页 |
| 2.3.3 各结构所需充磁磁场强度比较 | 第32-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 调磁结构的设计与优化 | 第37-55页 |
| 3.1 目标电机模型的建立及有限元模拟 | 第37-41页 |
| 3.1.1 建立目标电机模型 | 第37-39页 |
| 3.1.2 目标电机有限元仿真结果 | 第39-41页 |
| 3.2 记忆永磁体的选择 | 第41-44页 |
| 3.2.1 记忆永磁体类型选择 | 第42-43页 |
| 3.2.2 记忆永磁体厚度选择 | 第43-44页 |
| 3.3 通过定子弱磁结构有限元模型建立 | 第44-48页 |
| 3.3.1 导磁结构尺寸设计 | 第44-46页 |
| 3.3.2 记忆永磁体厚度及气隙设计 | 第46-48页 |
| 3.4 通过导磁体弱磁结构有限元模型建立 | 第48-51页 |
| 3.4.1 导磁结构尺寸设计 | 第48-49页 |
| 3.4.2 记忆永磁体厚度及气隙设计 | 第49-51页 |
| 3.5 各个结构模拟结果分析比较 | 第51-54页 |
| 3.5.1 弱磁前后E0大小对比分析 | 第51-52页 |
| 3.5.2 弱磁前后气隙磁场分布情况 | 第52-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 充磁线圈及充磁电路的设计 | 第55-65页 |
| 4.1 充磁线圈设计 | 第55-61页 |
| 4.1.1 充磁磁场强度需求 | 第55-58页 |
| 4.1.2 充磁磁场分布状况优化 | 第58-61页 |
| 4.2 充磁电路设计 | 第61-64页 |
| 4.2.1 主电路设计 | 第61-62页 |
| 4.2.2 元器件选型与电路仿真实验 | 第62-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附件 | 第70页 |
