| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-17页 |
| 1.1.1 二维材料的研究简介 | 第9-11页 |
| 1.1.2 第V主族二维材料研究进展 | 第11-17页 |
| 1.2 本文研究思路和研究内容 | 第17-20页 |
| 第2章 研究方法与砷烯、锑烯的稳定性和电子结构 | 第20-31页 |
| 2.1 本文研究方法 | 第20-24页 |
| 2.1.1 赝势选取 | 第20-21页 |
| 2.1.2 声子计算方法 | 第21-22页 |
| 2.1.3 第一性原理软件包的选用 | 第22-24页 |
| 2.2 砷烯和锑烯的稳定性和电子结构 | 第24-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 砷烯和锑烯表面调控下的电子结构和稳定性 | 第31-53页 |
| 3.1 表面全氢化对砷烯和锑烯电子结构的影响 | 第31-38页 |
| 3.2 表面全卤化对砷烯和锑烯电子结构的影响 | 第38-49页 |
| 3.3 结果讨论与稳定性分析 | 第49-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 砷烯、锑烯及AsP、SbAs、BiSb的表面修饰调控：非对称情形 | 第53-70页 |
| 4.1 非对称表面修饰对砷烯和锑烯电子结构的影响 | 第54-57页 |
| 4.2 表面调控对AsP、SbAs和BiSb电子结构的影响 | 第57-67页 |
| 4.2.1 单层AsP、SbAs和BiSb二维材料的电子结构和稳定性 | 第58-61页 |
| 4.2.2 表面全氢化和全氟化时AsP、SbAs和BiSb的电子结构研究 | 第61-67页 |
| 4.3 结果讨论与稳定性分析 | 第67-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第5章 V族二维材料在基底上生长的可行性及电子结构分析 | 第70-85页 |
| 5.1 砷烯、锑烯和铋烯在基底Si(111)和Ge(111)上生长情形 | 第70-76页 |
| 5.2 锑烯和铋烯在基底、Bi2Se3和Bi_2Te_3上生长情形 | 第76-84页 |
| 5.3 本章小结 | 第84-85页 |
| 第6章 总结与展望 | 第85-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-96页 |
| 硕士期间发表论文 | 第96页 |
